二、东丽 PSPI 三大系列（完整型号 + 用途）

1. PW 系列｜正性光敏 PI（*主流，**封装**）

• PW‑1000：标准通用型，膜厚 3–7μm，基础 IC 钝化、单层 RDL
• PW‑1200：平衡型，附着力好，多层布线、CSP、FC‑BGA
• PW‑1500：**主力，高分辨率、低吸水率，Fan‑out、2.5D/3D、HBM、微凸点
• PW‑1700：厚膜型，可做 10–20μm，功率半导体、堆叠封装

2. UR 系列｜负性光敏 PI（厚膜、MEMS 腔体）

• UR‑3100 / UR‑3300 / UR‑3500
  用于 MEMS 腔体、大尺寸开孔、厚绝缘层、传感器封装

3. LT 系列｜低温固化 PSPI（超薄晶圆、柔性芯片）

• LT‑2000 / LT‑2200 / LT‑2500
  超薄晶圆研磨、柔性电子、低温工艺、先进面板封装

4. GN 系列｜超厚膜 PSPI（功率器件专用）

• GN‑5000 / GN‑7000
  可涂布 50–200μm 厚膜，IGBT、MOSFET、功率模块绝缘层

三、核心关键参数（通用）

1. 固化温度：230–350℃（PW 系列）；LT 系列 180–200℃
2. 解析度：线宽 / 线距 5μm 级别，** PW‑1500 可达 3μm
3. 介电常数 Dk：2.8–3.2，绝缘性能优异
4. 热分解温度 Td：＞500℃，耐高温回流焊
5. 热膨胀系数 CTE：低应力，适配硅片、晶圆翘曲控制
6. 吸水率极低，耐酸碱、耐化学药液

四、应用场景（半导体核心）

• Fan‑out Panel Level / Wafer Level 封装
• RDL 重布线层、钝化层、缓冲层
• 2.5D/3D IC、HBM、Chiplet
• MEMS、传感器、光学器件
• 功率半导体、IGBT、MOSFET
• 超薄晶圆、柔性芯片