MIYUKI（美幸辉）在半导体领域以高洁净、超低泄漏、精密真空阀门与压力控制为主，覆盖刻蚀、沉积、离子注入、高纯气体管路与氦检等环节。

一、BAR 系列定位

BAR 系列 = 电动精密真空调节蝶阀（模拟量 0–10V 无级控制）

• 品牌：MIYUKI（美幸辉，日本）
• 核心：连续线性开度调节 + 闭环压力控制，适合需要动态稳压、慢泄压、梯度进气的**真空制程
• 对比 BAZ：BAR 是0–10V 连续模拟；BAZ 是00–99 数字定点

二、命名规则（快速识型号）

典型：BAR‑J80 / BAR‑I100 / BAR‑C160

• BAR：系列名（电动调节蝶阀）
• 中间字母：
  • J：标准型（通用、*常用）
  • I：高真空型（密封 / 洁净升级）
  • C：大流量 / 高耐压型
• 数字：口径（25=KF25，50=KF50，80=DN80，100=DN100…250=DN250）

三、主流型号与口径（常用清单）

1）小口径（25A–50A，实验室 / 小设备）

• BAR‑J25：KF25，半导体小样腔、镀膜机小腔室
• BAR‑J40：KF40，锂电小注液腔、科研真空炉
• BAR‑J50：KF50，PVD 小腔体、光学镜片镀膜机

2）中口径（80A–160A，量产主力）

• BAR‑J80：DN80，刻蚀机、PECVD、ITO 蒸镀线
• BAR‑J100：DN100（*常用），平板显示、光伏 PVD、锂电脱泡线
• BAR‑J160：DN160，大腔镀膜、真空热处理炉

3）大口径（200A–250A，大型腔体）

• BAR‑J200：DN200，大型镀膜生产线、太阳能电池片 PVD
• BAR‑J250：DN250，超大真空腔体、真空钎焊炉

后缀说明：

• ‑I：高真空版（内漏 ≤1×10⁻¹⁰，适合 10⁻⁶ Pa 制程）
• ‑C：加强密封、更高耐压、大流量设计

四、核心技术参数（全系列通用）

1）真空 / 压力

• 工作范围：10⁵ Pa（常压）～ 10⁻⁵ Pa（高真空）
• 内漏：≤1×10⁻⁹ Pa·m³/s（标准）；≤1×10⁻¹⁰（I 型）
• 轴封漏：≤1×10⁻¹⁰ Pa·m³/s

2）材质与洁净

• 阀体 / 蝶板：SUS304 不锈钢（低放气、低颗粒）
• 密封：FKM 氟橡胶（标准）；可选 Kalrez 全氟醚（耐溶剂 / 高温）
• 无金属滑动结构 → 极低颗粒析出（半导体 / 镀膜关键）

3）驱动与控制

• 驱动：电机直驱、无背隙、微米级开度
• 控制信号：0–10V DC 模拟量（对应 0°–90° 全关→全开）
• 响应：≤1 秒快速稳定
• 控制器：MS‑VP（开度控制）、MG‑mini485（自动 PID 压力闭环）
• 电源：DC24V（标准）

4）温度

• 阀体：−20℃ ～ +150℃
• 电机：≤40℃

五、核心运用场景（按行业）

1）半导体（*主力）

• PVD/CVD 腔体：工艺压力精密稳压（如 1–10 Pa 稳定）
• 刻蚀 / ICP：梯度进气、慢泄压，防止腔室压力冲击、微粒飞扬
• 离子注入：高真空（10⁻⁴～10⁻⁵ Pa）精密调节

2）光学 / 显示镀膜

• 手机盖板、AR 镀膜、ITO 蒸镀：缓破真空（阶梯升压），避免膜层起皮、针孔
• 车灯反光罩、光学镜片：微小开度稳定，保证膜厚均匀

3）锂电 / 新能源

• 电芯真空注液：梯度泄压，防止电解液飞溅、极片污染
• 极片干燥 / 脱泡：真空度稳定控制（100–1000 Pa）
• 软包封装：低颗粒、高洁净，避免杂质混入

4）光伏（晶硅 / 钙钛矿）

• 电池片 PVD（铝背场、钝化膜）：大流量 + 精密稳压
• 钙钛矿镀膜：高洁净、低放气，保护敏感受体层

5）科研 / **工业

• 真空退火炉、钎焊炉：升温 / 降温过程压力曲线控制
• 氦检漏系统：分段升压、定点控压，提高检漏精度