ULVAC 爱发科 HR系列多级罗茨干式真空泵
一、全系列型号核心参数总表

型号	50Hz 抽速 (m³/h)	60Hz 抽速 (m³/h)	极限真空 (Pa)	进气法兰	排气法兰	整机重量 (kg)	电机功率
HR60	62	80	≤5	KF50(VG50)	KF40	180	2.2kW
HR90	112	126	≤5	KF50(VG80)	KF40	245	3.7kW
HR300	359	440	≤0.1	KF80(VG80)	KF40	275	7.5kW
HR600	653	701	≤0.1	KF80(VG80)	KF40	370	11kW
HR1200	1090	1170	≤0.05	KF100(VG100)	KF40	420	15kW

供电统一：三相 200V (50/60Hz)/220V (60Hz)，标配水冷散热

二、HR 核心独有技术（对比 LR/LS *大差异）

1. 全域高温均热化（HR 标志性设计）

泵体多级腔体全程均匀控温，利用压缩热维持高温，杜绝硅烷、金属氯化物、升华粉体冷凝粘黏转子，避免泵腔积粉卡死；LR 仅低温均热、LS 螺杆无恒温设计，无法应对易凝腐蚀副产物。

2. 强化防腐密封系统

1. 转子、腔体做高硬度特种耐蚀涂层，耐受氟、氯、硅粉尘、微量酸碱工艺气体；
2. 全机氦气屏蔽轴封，标配持续氮气吹扫（5SLM 标准），隔绝腐蚀性介质侵入轴承；
3. 内置全封闭屏蔽电机，无介质泄漏风险，适配半导体防爆洁净车间。

3. 工艺稳定配套设计

• 瞬停保护：耐受≤1000ms 电网断电冲击，刻蚀 / CVD 连续生产不报错；
• 智能通讯：标准 RS485，可读取真空、温度、吹扫流量、故障报警、运行时长，适配产线集中上位监控；
• 可选 ECO-SHOCK 节能模块：低负载待机模式，极限真空工况省电 70%~80%，大幅降低连续生产电费；
• 一体式消音器，运行噪音 68~72dB (A)，洁净车间可就近摆放。

4. 全干式无油结构

转子非接触运转，腔体无润滑油，零油蒸气污染晶圆、薄膜，满足半导体高洁净等级；齿轮 / 轴承油腔与真空腔完全隔离，无交叉污染风险。

三、HR / LR / LS / UR 系列定位区分（选型关键）

1. HR 系列（高温防腐款）
   适用：PECVD、LPCVD、干法蚀刻、ALD、等离子去胶 / 灰化、硅工艺；处理含硅粉、卤素、升华腐蚀气体。
2. LR 系列（标准洁净款）
   适用：PVD、Loadlock 预抽、分子泵前级、光学镀膜；仅洁净氮气 / 空气，无强腐蚀副产物。
3. LS 螺杆系列（通用节能款）
   适用：锂电烘烤、真空冻干、通用工业干燥；常压抽速快、噪音极低，腐蚀耐受弱于 HR。
4. UR 系列（超高温重型款）
   适用：大流量高腐蚀量产刻蚀 / 薄膜线；泵体、排气管全程伴热，防腐等级高于 HR。

四、标准使用工况要求

1. 冷却：水冷，*小流量≥5L/min，水压 0.1~0.3MPa，水温≤25℃；水温过高会破坏均热防凝效果；
2. 吹扫氮气：干燥高纯 N₂，持续 5SLM，轴封 + 各级腔体分段吹扫，防止粉尘沉积；
3. 进气限制：不可直接抽大量液态溶剂、强酸原液、高粉尘无过滤进气，前端必须搭配工艺过滤器；
4. 环境：Class1000/10000 洁净厂房，通风良好，避免酸性废气聚集。

五、主流应用行业场景

半导体芯片制造（核心场景）

• 各类 CVD：氮化硅、氧化硅、多晶硅沉积排气；
• 干法刻蚀：硅刻蚀、金属层刻蚀、通孔刻蚀；
• ALD 原子层沉积、等离子灰化 / 光刻胶去除；
• MEMS、功率器件、第三代半导体工艺排气。

显示 / 光电

Mini/Micro OLED、LCD 薄膜沉积、薄膜刻蚀设备主抽泵。

科研精密设备

等离子清洗、离子注入、真空热处理炉、分子泵机组前级泵。