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IKC入江工研 半导体超高真空专用矩形闸阀
无滑动洁净密封：KOSLARZE 方闸阀无摩擦启闭，几乎无颗粒物产生，适配晶圆精密制程；
自研金属波纹管：316L 焊接波纹管，耐烘烤、耐腐蚀，寿命普遍 100 万次以上；
压差抵消机构（GARIVA 系列）：大口径阀门抵消大气压差，降低驱动负载、阀门不易形变；
超低泄漏：阀体基础漏率≤1×10⁻¹⁰ Pa・m³/s，阀板漏率≤5×10⁻¹⁰ Pa・m³/s；
全法兰兼容：KF/NW、CF 超高真空、JIS 国标法兰通用，气动 / 电动 / 手动多驱动可选。
基础参数
漏率：本体 1×10⁻¹⁰ Pa・m³/s；阀板 5×10⁻¹⁰ Pa・m³/s
耐烘烤：阀体*高 120℃，气动执行器≤60℃
启闭速度：1~3s，标准寿命100 万次
驱动：标准气动，可加装电磁阀、位置接近开关、电动伺服
开口规格：长条矩形，小口径 100×200mm~ 超大面板 1500mm 以上定制
细分型号
单面密封：常规腔体隔断、真空泵隔离，维护简单，O 圈单侧可快速更换；
双面密封：超高真空腔体、频繁高低压切换场景，密封冗余更强。
应用场景
芯片、化合物半导体、第三代半导体设备腔体隔离；
OLED、LCD 液晶面板第 4~8 代生产线传输阀；
精密光学镀膜、离子注入设备。
泄漏指标：阀体本体漏率≤\(1×10^{-10}\ \text{Pa·m}^3/\text{s}\)，阀板密封漏率≤\(5×10^{-10}\ \text{Pa·m}^3/\text{s}\)；
启闭速度：1~3s 快速开关，标准机械寿命100 万次，洁净强化版 150 万次；
耐烘烤：阀体*高 120℃，气动执行器常规≤60℃，水冷版本*高 200℃；
主流驱动：标准气动气缸，可选电动伺服、手动，标配接近开关位置反馈，可加装电磁阀、4~20mA 开度信号、PLC 通讯；
密封材质：标配 Kalrez 全氟醚 O 圈（半导体强腐蚀气体专用），可选 FKM 氟橡胶、无氧铜金属密封。
Ⅰ 代：早期基础款，多用于老款 6 寸及以下设备；
Ⅱ 代：主流量产款，轻量化、洁净度升级，8/12 寸晶圆通用；
Compact Ⅱ：迷你紧凑型，狭小设备腔体内置安装；
S 后缀：单面单向密封；D 后缀：双面双向密封；
W 后缀：水冷耐高温烘烤款；E 后缀：电动伺服驱动。
Ⅰ-S（单面密封）
特点：结构简单、O 圈更换便捷、造价低、维护成本低；仅单向承压密封，耐受单向 0.1MPa 压差；
适用场景：老旧 6 寸晶圆设备、普通真空腔体隔断、真空泵隔离阀、实验室镀膜设备。
Ⅰ-D（双面密封）
特点：双向密封，可承受双向压差，密封冗余更高；结构略复杂，价格高于单面款；
适用场景：频繁高低压切换腔体、早期离子注入设备。
LCD/OLED 第 6~8 代液晶玻璃基板传输门阀；
大面积光伏面板、卷轴式连续镀膜生产线；
航天真空舱、大型科研加速器、工业真空热处理炉。