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日本SANVAC ED‑1250R 高真空蒸发镀膜装置
产品型号:
产品简介:
产品定位:日本 SANVAC 小型全配置高真空蒸镀设备,面向科研实验室、小试样镀膜,集成电阻加热 + 电子枪双蒸发源
详细介绍
SANVAC ED‑1250R 高真空蒸发镀膜装置
项目
参数
极限到达真空
≤2.0×10⁻⁴Pa(常温、装工件后)
抽气性能
抽到 6.7×10⁻³Pa≤10min
漏率
1.2×10⁻¹⁰Pa・m³/s(He 检漏)
真空腔体
硬质玻璃钟罩,φ230mm×240mmH,可视腔体
蒸发机构
2 组电阻加热蒸发源(坩埚);电子枪 1 点坩埚,加速电压‑4kV,*大电流 750mA
基板台
3 英寸旋转基板台,转速 0‑5rpm;可装 4 片□10‑15mm 试样;支持 2 英寸晶圆成膜
基板加热
Inconel 加热器,常温‑450℃,PID 数字温控
排气系统
油旋片前级泵 333L/min (50Hz) + 涡轮分子泵 300L/s (N₂)
真空测量
皮拉尼真空计 + 电离真空计
供电
AC200V 三相 4kVA + AC100V 单相 30A
冷却水
≥3L/min,0.1‑0.15MPa,≤25℃循环水
整机尺寸
1350(W)×1220(D)×1230(H)mm
操作方式
手动操作
产品特点
1. 双蒸发源集成:同时搭载电阻热蒸发 + 电子束蒸发,既可蒸镀低熔点金属,也可蒸镀钨、氧化铝等高熔点材料,一机兼容多种薄膜制备。
2. 玻璃可视钟罩腔体,镀膜过程可直接目视观察,方便实验调试与工艺摸索。
3. 基板旋转 + 高温加热一体化:基板旋转保证膜层均匀;*高 450℃基板加热,满足高温成膜工艺需求,适配半导体、光学试样。
4. 分子泵高真空机组,抽速快,10 分钟内可达到工艺真空,真空洁净度高,膜层杂质少。
5. 小型整机一体化,占地面积紧凑,适合实验室环境;预算友好型科研蒸镀设备。
6. PID 数字温控、晶闸管电源调节,蒸发电流、基板温度调节稳定,工艺可复现。
对比优势
同体积下配置更全
:多数同价位小型蒸镀机只配电阻蒸发,ED‑1250R 直接集成电子枪 + 基板旋转 + 基板加热,不用额外选配,降低后期改造成本。
真空指标**
,极限真空 2E‑4Pa,漏率低,薄膜纯度高,适合对膜层质量要求高的新材料研发。
兼容 2 英寸晶圆与小试样
,既可做小样品实验,也可做小尺寸晶圆试样镀膜,科研通用性强。
日本原厂整机,真空系统成套匹配,分子泵‑前级泵组合优化,故障率低,工艺稳定性优于组装改装设备。
玻璃钟罩维护拆装简单,腔体清洁、换源操作便捷。
运用场景
高校、科研院所实验室:新材料薄膜研发、教学实验。
半导体小试样、2 英寸晶圆金属 / 介质薄膜制备。
光学镜片、光学基片蒸镀,金属膜、氧化物介质膜试制。
钙钛矿、有机电子器件电极蒸镀。
精密电子零部件、MEMS 样品真空蒸镀打样。
科研机构新材料、高熔点材料电子束蒸发实验。