SANVAC SP-3500R 三靶射频磁控溅射

产品特点

1. 三靶腔体设计：内置 3 个靶枪，可实现多层膜不间断连续镀膜；选配射频电源扩展，支持多靶同时共溅射，制备复合组分薄膜。
2. 射频 RF 溅射能力：标配射频自动匹配，可直接溅射陶瓷、氧化物等绝缘靶材，解决直流溅射无法镀绝缘材料痛点。
3. 支持反应溅射工艺：可通入氧气、氮气反应气体，制备氧化膜、氮化膜等功能介质薄膜，满足新材料研发需求。
4. 小型紧凑型设备，适配实验室台面布局，维护拆洗腔体便捷，适合高校、研发机构小批量试样。
5. 等离子工艺稳定，基片损伤低，薄膜附着力好，膜层均匀性可控。
6. 模块化扩展，可升级基片加热、等离子反溅清洗、膜厚监测模块。

对比优势

1. 三靶标准配置：同价位很多机型仅 1‑2 靶，SP‑3500RRF 出厂 3 靶，多层膜实验不用频繁更换靶材，提升研发效率。
2. 原生支持反应溅射，气路与腔体兼容氧气氛，无需额外改造即可做氧化物、氮化物薄膜实验。
3. 日本 SANVAC 整机真空工艺成熟，腔体漏率控制优异，镀膜重复性好，实验数据可复现。
4. 设备体积紧凑，对实验室场地要求低，兼顾研发打样，小批量试样也可适配。
5. RF 匹配性能稳定，绝缘靶材溅射时打火少，降低靶材损耗。

运用场景

1. 高校科研院所：新材料、薄膜物理实验室，多层膜、氧化物、压电薄膜研发实验。
2. MEMS、微纳器件研发：2 英寸及以内硅基试样，介质绝缘膜、功能薄膜制备。
3. 光学薄膜研发：小尺寸光学试样增透膜、反射膜、介电薄膜试样制备。
4. 传感器研发：气体传感器、压电传感器敏感层薄膜镀膜。
5. 半导体小试样工艺开发，陶瓷、绝缘材料 PVD 溅射工艺验证。