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日本SANVAC SP‑3600R RF 射频磁控溅射设备
产品型号:
产品简介:

设备说明:日本 SANVAC SP‑3600R(SP‑3600)三靶射频磁控溅射镀膜设备,PVD 真空薄膜沉积设备,支持金属、氧化物、绝缘介质膜制备,多用于科研、半导体、光电材料研发小批量试样

详细介绍

SANVAC SP‑3600R RF 射频磁控溅射设备

项目 参数
型号 SANVAC SP‑3600R RF 射频磁控溅射设备
极限真空 ≤7.0×10⁻⁵Pa(常温空载充分除气)
真空腔体 φ600mm×H400mm,SUS304 电解研磨腔体
射频电源 13.56MHz,RF 600W,带自动匹配器
靶位配置 3 个 4 英寸靶枪(金属 / 氧化物 / 绝缘体靶均可使用)
基板承载 *多 3 片 4 英寸基片;基板旋转功能
靶‑基片距离 50‑150mm 可调
基板加热 室温‑350℃,陶瓷加热器,PID 数字温控
膜厚均匀性 膜厚分布 ±10% 以内
特色机构 带反向溅射清洗功能,靶阴极磁铁旋转结构,涡轮分子泵洁净排气
操作方式 触控大屏,排气全自动,**防误操作回路



产品特点

  1. 三靶共溅结构:3 路 4 英寸射频靶源,支持单靶、多靶共溅射,可制备合金、多层复合薄膜;阴极磁铁旋转设计,提升膜层均匀性、改善靶材利用率。
  2. 宽温基板加热系统:微型陶瓷加热器,升温速度快,*高 350℃,PID 精准控温,适配不同基材成膜工艺。
  3. 自带反溅射清洗:基板反向溅射预处理,提升薄膜附着力,减少基材表面污染。
  4. 洁净高真空腔体:SUS304 电解研磨腔体 + 涡轮分子泵机组,获得高洁净真空,降低薄膜杂质。
  5. 自动化操作:大尺寸触控屏,自动排气流程,内置**保护回路,新手也可操作,支持全自动连续成膜工艺。
  6. 射频 13.56MHz 电源带自动匹配,稳定溅射金属、半导体、氧化物、陶瓷绝缘靶材,不限于导电靶材。


对比优势

  1. 多靶共溅能力:同级别设备中 3 靶位配置,可实现同步 / 分时共溅射,适合新材料配方研发,不用频繁更换靶材。
  2. 旋转磁阴极:区别普通固定磁体靶枪,旋转磁铁让靶面刻蚀更均匀,膜厚偏差控制在 ±10% 以内,靶材利用率优于同规格普通机型。
  3. 集成反溅射清洗一体化,腔体内部完成基片等离子清洗,减少基材转移污染,薄膜附着力更好。
  4. 全自动流程 + **回路,降低人为误操作,可编写自动工艺,适合实验室重复实验、小批量试样。
  5. 腔体电解研磨工艺,出气率低,极限真空高,成膜纯度高,适合对杂质敏感的光电、半导体薄膜试样。


运用场景

  1. 科研院校实验室:材料科学、半导体、二维材料,研发金属膜、氧化膜、氮化膜、绝缘介质薄膜。
  2. 光电行业:ITO 透明导电膜、光学增透 / 反射膜、滤光片试样开发。
  3. 微电子半导体试样:介质层、钝化膜、电极薄膜小批量打样。
  4. 新材料研发:陶瓷、氧化物、复合功能薄膜、催化薄膜试样制备。
  5. 表面工程:耐磨防护涂层、生物兼容薄膜研发。