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日本SANVAC SP-11000R RF 射频磁控溅射设备
产品型号:
产品简介:

RF溅射装置SP-11000R的上部法兰上设有4个行星式基板安装台,在保持同一水平面的同时,靶材上部可进行自转和公转。既可选择特定的行星式安装台进行溅射,也可使用所有行星式安装台进行溅射。通过引入氧气可进行反应性溅射,*适合ITO成膜。

详细介绍

SANVAC SP-11000R RF 射频磁控溅射设备

项目 参数规格
设备型号 SANVAC SP‑11000R RF
溅射模式 RF 射频磁控溅射(兼容反应溅射,可拓展 DC 直流溅射)
射频电源 13.56MHz,自动阻抗匹配,*大输出 1000W
极限真空 ≤5×10⁻⁷Pa,大气抽至工艺真空≤25min
工艺真空范围 1×10⁻²~1×10⁻⁵Pa
真空腔体 不锈钢高真空腔体,支持多靶位安装
基片尺寸 *大兼容 8 英寸基板,兼容 2/4/6 英寸晶圆
基片台 水冷旋转样品台,转速 0‑30rpm;基板加热室温‑400℃可调
工艺气体 Ar、O₂、N₂等多路工艺气体,MFC 质量流量控制
膜厚控制 膜厚实时监测,4 英寸范围内薄膜均匀性 ±3% 以内
控制方式 PLC + 触摸屏全自动控制,工艺配方存储调用
冷却方式 靶材水冷、腔体水冷、样品台水冷
可选配置 LoadLock 负载锁、离子清洗、共溅射功能、靶位拓展


产品特点

  1. 大功率 RF 射频系统:13.56MHz 射频电源搭载高速自动匹配,适配绝缘靶材(氧化物、陶瓷、氮化材料)溅射,起弧稳定,减少靶材打火现象。
  2. 高真空腔体系统,漏率低,腔体洁净度高,可制备高纯度功能薄膜,适配半导体级工艺需求。
  3. 基板一体化设计:旋转水冷加热样品台,兼顾低温工艺与高温退火,基板旋转保证大面积膜层均匀性。
  4. 精准气路与工艺控制:多路 MFC 气体流量精准调控,支持氩气、氧气、氮气反应溅射,可存储多套生产配方,工艺重复性好。
  5. 模块化可拓展架构:靶枪数量可升级,可加装离子源、LoadLock 进样室,满足研发小批量到中试生产不同需求。
  6. 人机交互友好:全触摸屏操作,故障报警记录,工艺参数全程溯源,降低操作人员门槛。



对比优势

  1. 射频功率储备充足:1000W 大功率 RF 输出,对比同级别机型,绝缘材料溅射速率更高,适合厚层介质膜沉积。
  2. 兼顾研发与中小批量量产,既可以做实验室样品开发,也可承接小批量晶圆、光学元件镀膜,不用区分实验机和量产机。
  3. 薄膜一致性**,大基板下膜厚偏差小,减少**率,适配光学、MEMS 对均匀性严苛要求。
  4. 反应溅射稳定性强,匹配系统响应快,氧气氛围下不容易灭弧,适合氧化膜、氮化膜连续生产。
  5. 模块化维护便捷,腔体、靶枪、电源组件拆装简单,降低后期运维成本与停机时间。



运用场景

  1. 半导体与 MEMS:介质薄膜、绝缘层、传感器功能膜、晶圆表面薄膜沉积、MEMS 器件制备。
  2. 光学镀膜:光学镜片增透膜、ITO 透明导电膜、氧化物光学多层膜、滤光片基材镀膜。
  3. 新材料科研:高校研究院实验室,金属、陶瓷、氧化物、氮化物各类薄膜工艺开发。
  4. 新能源行业:太阳能电池导电层、功能阻挡薄膜制备。
  5. 精密器件:医疗器械基材镀膜、微电子元器件表面改性。