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日本SANVAC SP-31000R 1764 RF 射频磁控溅射设备
产品型号:
产品简介:
RF溅射设备SP-31000R具有宽敞的成膜室,是一款专为在小型基板上进行成膜而设计的中批量生产设备。基板安装台的公转和自转可分别独立运行,还可在任意靶材上仅进行自转操作。基板相对于靶材的倾斜角也可调节,从而能够进行强各向异性溅射。
详细介绍
SANVAC SP-31000R 1764 RF 射频磁控溅射设备
项目
技术参数
设备型号
SANVAC SP‑31000R(资产编号:1764)
溅射模式
RF 射频磁控溅射(13.56MHz),支持反应溅射
射频电源
标配 300‑1000W 射频电源,带自动阻抗匹配器
极限真空
≤5×10⁻⁷ Torr(分子泵 + 机械泵机组)
工作真空范围
1×10⁻³~1×10⁻⁶ Torr
真空腔室
不锈钢高真空腔体,带观察视窗
靶枪配置
多靶位兼容,支持 2‑3 英寸靶材,水冷磁控阴极
样品台
兼容*大 6 英寸基片;支持基片加热,*高 450℃;样品自转 0‑20RPM 可调
靶‑基距
100‑150mm 可调
工艺气体
Ar、O₂、N₂,多路质量流量计精准控气
镀膜均匀性
±5%(4 英寸基片范围内)
控制方式
工控机 PLC 全自动 / 半自动工艺控制,可存储多套工艺配方
可选功能
基片等离子预清洗、膜厚监测、共溅射功能
适用靶材
金属、合金、陶瓷、氧化物、氮化物等绝缘 / 导电靶材
产品特点
RF 射频专用工艺能力
:可稳定溅射二氧化硅、氧化铝等绝缘介质靶材,解决直流溅射无法镀绝缘材料痛点,支持反应溅射制备各类化合物薄膜。
高真空系统
:极限真空高,腔体除气效果好,制备薄膜纯度高、杂质少,适合半导体、微电子精密薄膜制备。
工艺可重复性强
:射频自动匹配 + 质量流量计 + 可编程样品台,整套工艺参数可保存调用,批次间薄膜一致性稳定。
样品兼容性广
:支持硅片、玻璃、陶瓷、石英等多种基材;样品加热 + 自转,保障大面积镀膜均匀度。
人机友好操作
:可视化腔体观察窗,全自动流程,支持一键调用工艺,兼顾科研打样与小批量试制。
水冷靶阴极
:靶材冷却充分,可长时间连续工作,降低靶材热变形,延长靶材使用寿命。
对比优势
射频匹配响应速度快,靶材不易打火起弧,介质靶连续溅射稳定性优于同价位机型,降低工艺报废率。
真空机组抽速配置充足,抽气时间短,腔体残余气体低,薄膜含氧量可控。
兼顾实验室研发与小批量中试,不局限单纯科研样机,可承接小批量样品镀膜生产。
靶‑基距可调范围大,方便调试不同膜层速率,适配多种工艺开发需求。
PLC 整机集成度高,故障点位提示,后期维护简单,备件通用性强。
运用场景
半导体微电子
:晶圆介质薄膜、芯片绝缘层、MEMS 器件薄膜制备。
光学镀膜
:光学镜片增透膜、反射膜、红外光学功能介质膜。
新材料科研
:高校实验室、研究院材料研发,氧化物、氮化物薄膜材料开发。
传感器行业
:各类传感器绝缘、钝化薄膜沉积。
光伏与显示
:光电功能薄膜,介电层薄膜打样试制。