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日本SANVAC SP-31000R 2390 RF 射频磁控溅射设备
产品型号:
产品简介:
品牌:SANVAC(日本サンバック);型号:SP‑31000R (2390),中量产型 RF 磁控溅射镀膜设备,擅长多层膜、绝缘介质膜溅射成膜。
详细介绍
SANVAC SP-31000R 2390 RF 射频磁控溅射设备
项目
参数说明
设备定位
中量产型 RF 射频磁控溅射装置
适配基板
5 英寸晶圆~数 mm 微型芯片,兼容多尺寸小基材
靶材配置
单台 RF 电源支持
3 个靶材自动切换
,适配多层膜连续制备
基板运动
基板台公转 + 自转独立驱动,基板倾斜角度可调,支持各向异性溅射工艺
溅射模式
RF 射频磁控溅射,可溅射金属、合金、氧化物、氮化类绝缘介质薄膜
真空系统
涡轮分子泵高真空排气系统,洁净成膜环境
工艺气体
Ar、O₂、N₂等反应溅射气体,支持反应溅射
核心能力
大尺寸靶材搭载结构,优化膜厚分布,薄膜均匀性表现优异
产品特点
三靶自动切换
:一台射频电源可自动切换 3 个靶源,无需破真空更换靶材,适合多层膜连续镀膜,提升中量产效率。
基板多角度可调
:基板公转、自转独立控制,倾斜角度可调,可实现强各向异性溅射工艺,满足特殊器件薄膜制备需求。
宽尺寸兼容
:覆盖 5 英寸晶圆至毫米级微小芯片,小尺寸芯片、分立器件、微型元件均可加工。
绝缘膜稳定溅射
:标准 RF 射频模式,解决绝缘靶材靶中毒问题,氧化物、氮化物介质膜成膜质量稳定。
量产级膜厚均匀性
:加大靶材设计,优化腔室结构,改善膜厚分布一致性,适合中小批量生产,区别纯实验室机型。
高洁净真空排气
:涡轮分子泵机组,腔体污染低,减少薄膜颗粒缺陷。
对比优势
普通科研型设备多为单靶 / 双靶,本机型
三靶自动切换,支持多层膜连续工艺
,不用停机开腔换靶,兼顾研发 + 中小批量量产。
基板姿态自由度更高:公转自转分离 + 基板倾角可调,可做各向异性溅射,同类竞品大多仅支持简单旋转。
基材适配跨度大:既可以处理晶圆,也适合毫米级微型芯片,对小型元器件加工友好。
腔体与靶材结构面向量产优化,膜层均匀性优于同级别台式研发机型,良率稳定性更好。
射频系统针对绝缘介质薄膜优化,反应溅射工艺窗口宽,氧化物、氮化膜工艺调试简单。
运用场景
半导体分立器件、微型芯片:介质绝缘膜、钝化膜、电极金属多层膜制备。
MEMS 器件、传感器:功能介质薄膜、压电薄膜、多层堆叠薄膜。
光学元器件:氧化物光学介质膜、增透膜、保护膜。
科研 + 中小批量量产:高校研究院、企业研发打样、小批量生产兼顾。
化合物薄膜、反应溅射工艺:氧化膜、氮化膜等绝缘薄膜沉积。