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日本SANVAC SP‑3300 RF 射频磁控溅射设备
产品型号:
产品简介:

设备定位:日本 SANVAC 小型三靶射频磁控溅射系统,主打实验室研发、小试样 PVD 镀膜,可镀金属膜、氧化膜、绝缘介质

详细介绍

SANVAC SP‑3300 RF 射频磁控溅射设备

项目 参数
设备型号 SANVAC SP‑3300RF
溅射靶位 3 源磁控溅射(三靶共焦)
射频电源 300W,13.56MHz,配置自动匹配器,支持手动 / 自动匹配调节
靶‑基片距离 真空腔内可调节,可调整成膜速率
基板加热 室温‑350℃,程序控温
真空排气系统 涡轮分子泵洁净排气系统
可镀膜层 金属膜、氧化膜、绝缘介质薄膜
冷却系统 标配冷却水循环装置
设备类型 科研实验室型射频溅射镀膜设备



产品特点

  1. 三靶共焦配置,真空腔内部靶‑基片距离可调,灵活调控镀膜速率,可实现多层膜连续制备。
  2. 搭载 300W 射频电源 + 全自动阻抗匹配器,自动 / 手动双模式匹配,针对绝缘靶材溅射稳定,抑制靶中毒、打火现象。
  3. 基板*高加热 350℃,提升薄膜致密度与附着力,适配多种衬底材料。
  4. 分子泵高洁净排气,腔体污染低,适合制备高质量氧化膜、介质绝缘膜。
  5. 小型一体化机型,占地小,操作维护简便,适配高校实验室、企业研发小批量试样。
  6. 兼容金属、氧化物、陶瓷、绝缘材料靶材,实现射频溅射制备各类功能薄膜。


对比优势

  1. 自动射频匹配器为标配,很多同价位机型匹配器为选配;工艺调试简单,等离子体稳定性更好,新手也可快速上手。
  2. 腔内靶基距可调节,无需开腔即可调整镀膜速率,减少腔体暴露大气,节省抽真空时间。
  3. 基板*高 350℃加热,温控稳定,做氧化物、介质膜样品良率高。
  4. 整机体积紧凑,专为实验室研发设计,不占过多实验室空间。
  5. 三靶位可独立工作,可做复合膜、多层膜、掺杂薄膜,材料研发通用性强。


运用场景

  1. 高校科研院所:材料实验室、半导体实验室教学与新材料工艺研发;
  2. 半导体与微电子研发:绝缘介质膜、钝化膜、纳米多层膜试样制备;
  3. 光学薄膜研发:增透膜、反射膜、氧化物光学膜实验打样;
  4. MEMS、传感器研发:功能介质薄膜、绝缘层样品试制;
  5. 新能源材料:薄膜电池、陶瓷、氧化物功能膜实验;
  6. 企业研发中心:新材料小试样打样、工艺开发。