SANVAC SP‑3600 RF 射频磁控溅射设备

产品特点

1. 三靶共溅射设计：3 个 4 英寸靶源，可实现多层膜、复合膜交替溅射，兼容金属、陶瓷、氧化物、绝缘介质靶材，适配 RF 射频工艺。
2. 旋转磁体阴极：靶材磁体旋转结构，改善靶材刻蚀均匀性，提升膜厚一致性，延长靶材使用寿命。
3. 快速升温基板加热台：陶瓷加热元件，350℃快速升降温，PID 精准控温，满足不同薄膜结晶工艺需求。
4. 自带基板反溅射清洗：镀膜前等离子体清洗基板表面，提升薄膜附着力。
5. 洁净真空排气系统：涡轮分子泵机组，获得洁净高真空，减少杂质污染。
6. 人性化触控操作：大尺寸触控屏幕，全自动排气流程，**防误操作回路，新手也可操作。

对比优势

1. 腔体规格大：φ600 大腔体，同级别设备中腔体容积更大，可同时处理多片 4 英寸样品，试样效率更高。
2. 旋转磁体阴极：多数竞品为固定磁体；旋转磁体减少靶材局部刻蚀，膜厚均匀性稳定，靶材利用率更高。
3. 完整反溅射清洗标配，很多同价位设备该功能为选配件，本机出厂自带，简化前处理工艺。
4. 日本整机工艺稳定性好，射频自动匹配响应快，镀绝缘氧化物薄膜时等离子体状态稳定，适合科研、小试打样。
5. 短板：膜厚均匀性 ±10%，不适合超高要求量产线，定位研发、样品试制，非大规模量产设备。

运用场景

1. 科研新材料研发：高校、研究院实验室，氧化物薄膜、介质薄膜、功能薄膜试样制备。
2. 半导体与微电子：4 英寸晶圆试样，绝缘层、钝化层、介质薄膜小批量试制。
3. 光学薄膜：光学镜片、滤光片、红外元件的氧化物、介电膜打样。
4. 光电行业：ITO、TCO 透明导电薄膜、传感器功能膜研发。
5. MEMS 器件：MEMS 芯片介质层、绝缘层镀膜工艺开发。