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日本SANVAC SP-3300M RF 射频磁控溅射设备
产品型号:
产品简介:

设备定位:日本 SANVAC 小型 3 靶射频磁控溅射系统,面向实验室研发、小试样薄膜制备,可溅射金属、氧化物、绝缘介质薄膜。

详细介绍

SANVAC SP-3300M RF 射频磁控溅射设备

项目 参数
溅射靶源 3 源磁控溅射靶(三靶工位)
射频电源 13.56MHz,标配 300W 射频电源,支持自动 / 手动阻抗匹配器
靶‑基距离 真空腔内可调,可调节成膜速率
基板加热 室温‑350℃,基板加热功能
真空排气 涡轮分子泵洁净排气系统
工艺薄膜 金属膜、氧化膜、绝缘介质膜
冷却 配套冷却水循环装置
设备类型 实验室台式小型 RF 溅射镀膜设备



产品特点

  1. 三靶工位设计,可实现单靶溅射、轮流溅射,支持多种靶材切换,满足多元薄膜实验需求。
  2. 射频电源双模式匹配:自动匹配 + 手动匹配,适配金属、陶瓷、氧化物、绝缘体等非导电靶材,解决绝缘靶电荷积累问题。
  3. 靶‑基距真空腔内可调,不用破真空即可调节成膜速率,工艺调试效率高。
  4. 基板*高 350℃加热,可调控薄膜结晶质量,适配需要高温退火成膜的实验工况。
  5. 分子泵洁净排气,腔体污染低,制备薄膜纯度高,适合科研级样品制备。
  6. 整机小型化,占用空间小,适合高校实验室、企业研发小批量试样开发。



对比优势

  1. 对比同价位国产小型溅射设备:一体化自动射频匹配器,调试时间短,工艺重复性更好,日本 SANVAC 整机稳定性高,故障率低。
  2. 对比单靶射频溅射设备:3 靶配置,不用频繁拆换靶材,可做多层膜、复合膜实验,研发适配更广。
  3. 靶‑基距离可在真空内部调节,无需开腔,减少腔体暴露大气,节约抽真空时间。
  4. 兼顾金属与绝缘介质薄膜制备,一台设备覆盖导电、非导电靶材,科研选型性价比突出。



运用场景

  1. 高校科研院所实验室:材料科研、半导体材料、薄膜材料课题研发;
  2. 企业研发部门:光学薄膜、传感器功能膜、绝缘介质膜小试样打样;
  3. 材料研发:氧化物薄膜、氮化物薄膜、金属多层膜制备;
  4. 传感器、MEMS 器件、光学镀膜、第三代半导体前期工艺验证。