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日本SANVAC SP‑12000M RF 射频磁控溅射设备
产品型号:
产品简介:
SANVAC(日本サンバック)SP‑12000M RF,大型射频磁控溅射系统,主打介质膜、绝缘材料射频溅射,兼顾研发与中小批量试样生产,可完成金属、合金、氧化物、氮化物薄膜沉积。
详细介绍
SANVAC SP‑12000M RF 射频磁控溅射设备
项目
参数
设备型号
SANVAC SP‑12000M RF
溅射模式
RF 射频溅射(13.56MHz),支持反应溅射、共溅射,可选 DC 直流模式扩展
射频电源
大功率 RF 射频电源,搭载全自动阻抗匹配器,正向 / 反射功率实时监控
真空腔室
大型不锈钢高真空腔体,配置分子泵 + 机械泵机组,带烘烤除气功能
极限本底真空
≤5×10⁻⁷ Pa,工作真空 0.1‑10Pa 可调
基片台
大尺寸旋转基片台;支持基片加热,*高 350‑450℃;可兼容 8 英寸及以内硅片、玻璃、陶瓷基板;带等离子原位清洗功能
溅射靶位
多靶位配置,靶材高度、靶‑基距可调,独立靶挡板,可切换不同靶材,实现多层膜连续制备
气路系统
多路 MFC 质量流量控制器,Ar、O₂、N₂工艺气体,支持反应溅射工艺
成膜性能
薄膜均匀性 ±3‑5%;膜厚闭环监控,沉积速率稳定;膜层附着力高
控制系统
PLC + 触控面板,工艺程序存储调用,具备过压、过流、水冷、真空异常联锁报警保护
产品特点
大功率射频溅射能力
,擅长绝缘介质靶材(氧化物、陶瓷、氮化硅等)溅射,解决 DC 无法溅射绝缘材料痛点,支持反应溅射工艺开发。
大腔体设计
,兼顾大尺寸试样、多片小试样同时加工,适合新材料研发、小批量打样生产两用。
全自动射频匹配网络,工艺切换时快速完成阻抗匹配,减少工艺调试时间,溅射输出稳定。
靶‑基距离可调,搭配旋转加热基片台,兼顾沉积速率与薄膜均匀性;自带等离子清洗,提升薄膜附着力。
完善工艺存储,可保存多套镀膜配方;**联锁保护,腔体洁净度高,颗粒污染低,适合精密薄膜制备。
模块化结构,靶位、电源、负载锁腔(Load‑Lock)可选升级,后期拓展灵活。
对比优势
对比中小型科研溅射设备:腔体与 RF 功率更高,可处理更大基板,可承接小批量试样,不只局限实验室研发。
射频匹配性能优异,介质膜工艺稳定性优于同级别国产设备,减少跳靶、功率漂移问题,重复性好。
工艺兼容性强:金属、合金、氧化物、氮化物、压电薄膜均可制备,一套设备覆盖多方向薄膜开发。
日本 SANVAC 整机真空部件,漏率控制**,烘烤后本底真空高,降低杂质对薄膜性能干扰。
人机操作友好,成熟标准化操作界面,工艺参数可回溯,方便科研记录与生产管控。
运用场景
半导体与 MEMS
:介质绝缘薄膜、压电薄膜、钝化层薄膜沉积,芯片试样研发、MEMS 器件打样。
光学行业
:光学镜片增透膜、反射膜、红外光学介质膜制备。
新材料科研院所
:氧化物、氮化物功能薄膜、传感器薄膜、磁性薄膜实验室研发。
光伏与新能源
:电池功能薄膜、透明导电膜试样开发。
精密电子、传感器
:陶瓷、玻璃基材上制备绝缘 / 功能薄膜。