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探头
日本SANVAC SP‑163000D RF 射频磁控溅射设备
产品型号:
产品简介:
滚筒式溅射装置SP-163000D适用于粉末、颗粒、小片、小球等基材,即在基材之间发生接触也不会造成问题的场合进行镀膜。装入旋转滚筒内(*大容积20000mL)的基材会在滚筒内进行混合,从而可在基材的整个表面形成镀膜。
详细介绍
SANVAC SP‑163000D RF 射频磁控溅射设备
项目
规格参数
设备型号
SANVAC SP‑163000D RF 射频磁控溅射设备
溅射电源
RF 射频电源 13.56MHz,*大输出 3000W,内置自动阻抗匹配器,支持连续 / 间歇溅射模式
真空腔体
不锈钢高真空腔体,集成分子泵 + 机械泵真空机组,带观察视窗、水冷系统
极限本底真空
优于 5×10⁻⁵ Pa,带真空联锁保护
样品基台
*大兼容 8 英寸晶圆,样品台支持加热,*高 350℃,转速 5‑30rpm 连续可调,支持基片射频偏压清洗
靶位配置
支持多靶位安装,可同时安装金属、陶瓷、氧化物绝缘靶材;靶‑基距可调
气路系统
多路工艺气进气(Ar、O₂、N₂等),高精度 MFC 质量流量控制器,可实现反应溅射
膜层指标
膜层不均匀性≤±5%(8 英寸基片范围内),膜层致密,附着力强
控制系统
PLC + 工控机触摸屏,全自动 / 半自动工艺流程,工艺参数存储调用、故障报警记录
可沉积薄膜
金属、合金、氧化物、氮化物、各类绝缘介质薄膜、半导体薄膜
产品特点
大功率 RF 射频系统
:3000W 大功率射频电源,自动阻抗匹配,抑制靶中毒,适配陶瓷、氧化物等绝缘靶材,也兼容金属靶材溅射。
大尺寸基片兼容
:*大支持 8 英寸晶圆,样品台可加热、旋转,带等离子预清洗,提升薄膜附着力与成膜品质。
稳定高真空系统
:分子泵机组,极限真空高,真空联锁保护,防止误操作,保障半导体级洁净镀膜环境。
工艺可拓展性强
:多路 MFC 气路,支持反应溅射,多靶位可实现共溅射、多层膜交替沉积,工艺配方可保存复用。
智能整机控制
:全触摸屏操作,完整工艺追溯,异常报警,降低操作人员门槛,适配研发与中小批量生产两用。
整机水冷设计
:腔体、靶座、电源重点部位水冷,适合长时间连续运行,设备稳定性高。
对比优势
射频功率余量充足
:3000W 大功率 RF 输出,相比普通 500‑1000W 射频机型,溅射速率更高,厚介质膜生产效率明显提升。
兼顾研发 + 中小量产
:既可以实验室新材料工艺开发,也支持 8 英寸晶圆中小批量镀膜,一机两用,设备综合利用率更高。
抗干扰匹配性能**
:内置高速自动匹配器,反应溅射工况下也能快速锁频,减少工艺断连,工艺重复性好。
真空**联锁完善
:真空、水冷、气压多重联锁保护,减少人为误操作带来设备损坏,降低运维成本。
兼容反应溅射工艺
:多路高精度气体控制,可稳定制备氧化膜、氮化膜,覆盖半导体、光学、新能源多类薄膜需求。
运用场景
半导体微电子行业
:晶圆介质薄膜、绝缘层、电极薄膜制备;MEMS 微纳器件、传感器薄膜沉积。
光学镀膜
:光学镜片增透 / 高反膜,氧化物光学介质膜、红外器件镀膜。
新材料科研研发
:实验室材料研究、多层膜、复合薄膜、陶瓷薄膜工艺开发。
新能源行业
:光伏、燃料电池相关功能薄膜、透明导电膜试制。
精密电子
:PCB、柔性电子、射频器件绝缘薄膜、电磁屏蔽膜制备。