SANVAC CT‑5500 热CVD装置半导体薄膜制备

产品特点

1. 三炉独立腔体设计，一号炉沉积多晶硅，二号炉 SiO/PSG/BSG，三号炉 Si₃N₄氮化硅；炉体完全隔离，杜绝不同工艺之间的异物交叉污染。
2. 一台设备等效三台独立 CVD，节省实验室 / 产线占地，降低设备采购成本。
3. 工艺参数独立可调，各炉温度、气体流量、压力可以分开设置，适配不同薄膜工艺条件。
4. 专为小批量试样、研发打样、中小批量试制开发，兼顾科研和小规模生产。
5. 日本原厂真空与炉体控制，工艺重复性好，适配半导体前期研发、材料实验室。

对比优势

1. 成本与空间优势：相比采购三台单腔 CVD，CT‑5500 大幅压缩设备采购预算，减少占地面积。
2. 防交叉污染：三炉完全物理隔离，多晶硅、氧化层、氮化硅工艺互不干扰，这点优于共用腔体的多工艺 CVD 设备。
3. 灵活度高：三个腔体可以同时跑不同工艺，也可单炉独立运行，研发阶段频繁换工艺非常友好。
4. 定位差异化：不面向超大产能大规模量产，聚焦科研院所、企业研发部、小试样试制，性价比优于大型量产 CVD 机台。
5. 整机为日本 SANVAC 原厂集成，真空系统、气路、炉体一体化，减少第三方集成带来的故障风险。

运用场景

1. 半导体研发：Poly‑Si 多晶硅、氮化硅 Si₃N₄、PSG 钝化层薄膜试样制备。
2. 高校 / 科研院所实验室，新材料、微电子薄膜工艺开发实验。
3. MEMS 器件、微纳器件小批量试制，介质层、钝化层沉积。
4. 半导体零部件、晶圆试样打样，工艺验证、配方调试。
5. 小批量试样生产，不适合大规模高产能流水线生产。