SANVAC CP‑1700 立式等离子CVD镀膜设备

产品特点

1. 立式石英管腔体设计：外置线圈产生等离子，实现向下流（down‑flow）等离子 CVD 工艺，等离子体分布均匀，减少基板颗粒污染。
2. 基板升降 + 内置加热：基板托架带加热组件，可上下位移，灵活调整基板与等离子区相对位置，适配多种工艺条件。
3. 支持 DC 基板偏置：可对基板施加直流偏压，调控离子能量，优化薄膜应力、附着力与结晶质量。
4. 研发型灵活配置：工艺参数可调范围大，气体通路、电源可按需选配，适配新材料工艺开发。
5. 结构紧凑，实验室占地小；真空排气系统可搭配分子泵 / 干泵组合实现洁净高真空环境。
6. 完整工艺自动化，支持工艺序列编辑，降低人为操作误差。

对比优势

1. 独特向下流等离子工艺能力：区别于普通平板式 CVD，等离子从上往下流向基板，减少腔壁杂质掉落，薄膜洁净度更好。
2. 基板 DC 偏置标配支持，很多同级别国产 / 进口小型 CVD 需要额外选配，本机原生支持偏置工艺开发。
3. 石英管腔体易于观察等离子状态，腔体拆装清洁便捷，维护成本低。
4. 日本 SANVAC 原厂真空系统配套经验，真空排气系统兼容性强，可搭建无油洁净真空方案。
5. 侧重科研试样小批量研发，参数可调自由度高，适合新工艺摸索，不局限标准化量产。

运用场景

1. 高校、科研院所：等离子 CVD 薄膜研发，氧化膜、氮化膜、各类功能薄膜试样制备。
2. 新材料企业研发实验室：材料表面改性、等离子体处理、薄膜工艺条件摸索。
3. 半导体、光学材料小试样实验，氮化硅、氧化硅等介质膜沉积实验。
4. 等离子体工艺基础实验，DC 偏置对薄膜性能影响的科研实验。