SANVAC CP‑1900 等离子CVD化学气相沉积设备

产品特点

1. 紧凑型整机设计，体积小巧，普通实验室即可安放，无需特殊基建改造。
2. 上部电极带气体喷淋头，工艺气体均匀分布，成膜一致性好。
3. 基板底座内置埋入式加热器，基板温度可控，适配多种薄膜沉积工艺。
4. 完整集成真空腔体、等离子发生、气路控制、操作控制面板，整机交付，减少系统搭建工作量。
5. 日本原厂整机制造，真空部件工艺成熟，设备运行稳定性高，适合工艺研发、小试样片处理。
6. 可完成等离子增强 CVD 成膜，适配多种反应气体，工艺调试灵活。

对比优势

1. 整机一体化交付：区别于分体搭建 CVD，开箱调试即可使用，降低系统集成难度与成本。
2. 空间占用低：紧凑型机身，对比同功能大型 CVD 设备，对实验室场地要求更低。
3. 喷淋电极设计：气体喷淋布气，相比简易进气，膜层均匀度更优，减少边缘效应。
4. 研发适配性强：偏向科研、新工艺开发，兼顾小批量试样打样，不局限于量产产线。
5. 日本 SANVAC 真空设备原厂，真空腔体焊接、密封工艺可靠，漏气率控制优异。

运用场景

1. 高校、科研院所实验室：等离子 CVD 薄膜工艺开发、新材料研究。
2. 半导体、微电子行业：绝缘薄膜、钝化膜、类金刚石 DLC 薄膜试样制备。
3. 材料研发企业：表面改性、涂层工艺实验，小批量样品处理。
4. 无机薄膜、纳米材料、功能涂层的工艺验证。