SANVAC CM‑8000 MOCVD装置气相沉积系统

产品特点

1. Load‑lock 负载锁腔设计，腔体不用反复破真空，减少腔体污染，提升薄膜生长良率，缩短批次周转时间。
2. 高精度红外温控系统，腔体内温度均匀性**，适合量子阱、超晶格等超薄多层异质结生长。
3. 气路管路全程高温伴热，防止 MO 源冷凝析出，气体配比控制精度高，组分均匀性好。
4. 模块化气路配置，可灵活扩展 MO 源通道，兼顾实验室研发与小批量试样生产。
5. 完整**联锁：气体泄漏检测、超温超压保护、氢气**保护，适配 MOCVD 高危特种工艺。
6. 日本 SANVAC 整机真空腔体工艺，腔体漏率低，背景杂质少，保障外延片低缺陷密度。

对比优势

1. 日系紧凑型整机设计，占地面积小于欧美同级别机型，适合实验室空间有限场景。
2. 兼顾研发打样 + 小批量试样，不用纯量产设备的高额投入，研发机构、中小化合物半导体企业性价比突出。
3. 卧式腔体气流分布稳定，AlGaN、InGaN 组分均匀性表现**，适合光电子、射频器件前期工艺开发。
4. 备件、维护逻辑更贴合亚太市场，设备故障率低，维护周期长。
5. 支持 2‑6 英寸多规格衬底兼容，一台设备覆盖多种试样尺寸，设备复用率高。

运用场景

1. 科研院所、高校实验室：Ⅲ‑Ⅴ 族半导体材料研发、量子阱、超晶格材料实验。
2. 化合物半导体企业研发中心：Mini‑LED、紫外 LED、激光器外延工艺开发、试样打样。
3. 射频器件、HEMT 器件前期工艺验证；GaN 基功率半导体小批量试样。
4. InP、GaAs 基光通信芯片外延材料研发试制。