SANVAC RIE 反应离子刻蚀装置

产品特点

1. SUS316 耐腐蚀不锈钢腔体，耐氟类腐蚀性工艺气体，腔体不易腐蚀污染，保障工艺洁净度。
2. 电极间距 20‑60mm 可调，可灵活调整等离子场，适配不同刻蚀工艺需求。
3. 一机双功能：既可以完成 SiO₂、Si₃N₄、多晶硅干法刻蚀，也支持 O₂等离子光刻胶灰化去胶，设备利用率高。
4. 平行板 RIE 结构，工艺稳定性好，设备结构简洁，维护拆解方便。
5. 可兼容多种蚀刻工艺气体，工艺窗口宽，适配实验室、小批量研发产线。

对比优势

1. 腔体采用 SUS316 材质，相比普通铝材腔体，抗腐蚀性更强，处理含氟气体时腔体寿命更长，颗粒污染更低。
2. 电极间距大范围可调，不用更换电极组件，仅参数调整即可切换各向异性 / 各向同性刻蚀，工艺适配灵活。
3. 集成刻蚀 + 光刻胶灰化，无需额外配置独立等离子灰化机，降低设备采购成本。
4. 日系真空系统配套成熟，极限真空指标**，腔体本底杂质少，适合半导体、MEMS 研发小批量加工。
5. 设备结构简约，故障率低，适合高校实验室、科研院所、中小半导体研发产线使用。

运用场景

1. 半导体研发：多晶硅、氧化硅 SiO₂、氮化硅 Si₃N₄薄膜干法反应离子刻蚀。
2. MEMS 器件研发试样加工，微型结构等离子干法蚀刻。
3. 光刻胶灰化去除，O₂等离子剥离光刻胶、表面等离子清洗。
4. 高校、科研院所微纳加工实验室，失效分析样品刻蚀处理。
5. 光电、传感器元件薄膜刻蚀加工。