SANVAC CSR‑2400 半导体晶体表面改性装置

产品特点

1. 超高温处理能力，*高 2400℃高频感应加热，适配碳化硅等宽禁带半导体高温工艺。
2. RHEED 原位表面观测：热处理 / 表面改性过程中实时观测晶体表面结构，不用破真空取样，减少实验误差。
3. 宽区间压力可控，可在常压到高真空区间精准控压，支持惰性气氛、真空两种工艺环境。
4. 一机多用：晶体表面改性、SiC 液相外延生长、半导体材料高温热处理，一台设备覆盖多类实验。
5. 高真空排气系统，干式泵 + 分子泵组合，腔体低污染，适合半导体材料科研制程。

对比优势

1. 原位表征一体化：市面多数高温炉只做加热处理，本设备集成 RHEED，加热同时直接观测晶体表面重构，省去样品转移，提升科研实验效率。
2. 温度上限高，2400℃高温，远高于普通真空热处理炉，专门针对 SiC、碳化基难熔半导体材料。
3. 工艺灵活性强，气氛、真空模式可切换，兼顾表面改性、液相外延、退火热处理多场景。
4. 日本 SANVAC 原厂真空腔体工艺，高真空泄漏率控制优异，适合高校、研究院半导体材料实验室精密实验。

运用场景

1. SiC 碳化硅晶体表面改性、表面重构实验研究
2. SiC 液相外延生长实验
3. 宽禁带半导体材料高温真空热处理、退火
4. 半导体晶体表面动力学研究，搭配 RHEED 做原位表征
5. 高校、科研院所新材料实验室高温真空工艺实验