HORIBA 堀场 D700uF微流量压强不敏感质量流量模块

一、 产品定位

二、 核心技术和原理

• MEMS 微流量传感芯片：采用新开发的内部低流量标准和专用组件，结合 MEMS 传感芯片，实现了对极低流量的精准捕捉，分辨率可达 0.001 SCCM。
• 温控恒流源技术：具备 ±0.1°C 的高精度温控能力，有效抑制了由热膨胀引起的流量漂移，确保了**的温度稳定性（±0.0025% F.S./℃）。
• 压力不敏感设计：通过内部算法和硬件补偿，能够实时补偿入口压力波动，在压力突变（如 70kPa/s）的情况下，依然保持极低的流量偏差，实现压力不敏感控制。

三、 产品优势与特点

• **的微流量控制能力：*小可控流量低至 0.025 SCCM（以 N₂ 为基准），流量精度可保证低至 0.1 SCCM N₂ 当量，显著增强了工艺的可调性。
• **的密封与低颗粒风险：采用 PFA 喷嘴设计，不仅提升了阀门的关闭性能和耐腐蚀性，还大幅降低了颗粒物产生的风险，具有极强的鲁棒性，有助于减少设备停机时间并优化产量。
• 低功耗设计：采用 24V DC 供电，运行功耗仅为 7.0W，非常适合对能耗有严格要求的半导体设备。
• 智能化状态监控：内置状态监控功能，能够提供丰富的内部运行数据，支持更智能的故障预测和预防性维护，提升设备整体运行效率。
• 高密封等级：氦气（He）泄漏检测标准达到 ≤5×10⁻¹² Pa·m³/s，确保在超高真空或高纯度工艺中的****。

四、 主要应用场景

• 高纵横比工艺：在这些工艺中，**的微量气体控制是保证结构成型质量的关键。
• 原子层沉积（ALD）：ALD 工艺需要以原子层级**控制前驱体气体的注入量，D700uF 的微流量控制能力**契合此需求。
• 先进制程的刻蚀与掺杂：在 3nm 及以下制程中，微量掺杂气体或刻蚀气体的**配比直接决定了晶圆的良率。