HORIBA 堀场 D717MG 高响应质量流量模块

一、 产品定位

二、 核心技术和原理

D717MG 的核心在于其基于压力的差压式传感技术与压力不敏感 (Pressure Insensitive) 设计。

• 差压式测量：通过测量气体流经传感器时产生的微小压差来**计算质量流量，而非依赖热式原理，这使其在响应速度和长期稳定性上更具优势。
• 压力扰动补偿：内部集成了先进的算法和结构设计，能够实时补偿因上游供气压力波动或下游工艺腔室压力变化带来的干扰。即使在入口压力以 ≤ ±70 kPa/s 的速率突变时，也能将流量偏差控制在极小范围内，确保流量稳定。
• 闭环反馈控制：系统持续将设定流量与实际测量流量进行比较，并瞬间调整高精度阀门的开度，形成快速闭环，从而实现 ≤100ms 的超快阶跃响应。

三、 产品优势与特点

• 超快响应性能：阶跃响应时间 ≤ 100ms，显著减少气体切换和流量设定时的滞后，提升工艺节拍和生产率。
• **的压力不敏感性：有效抵抗工艺过程中的压力波动，保证在刻蚀、沉积等动态工艺中的流量精度，提升晶圆良率。
• 高可靠性与耐腐蚀性：采用 PFA（全氟烷氧基）喷嘴，不仅提升了阀门的关闭密封性能，还大幅增强了对腐蚀性气体的耐受性，同时有效抑制颗粒物的产生，减少停机维护时间。
• 智能状态监控：内置诊断系统，可记录阀门驱动次数、压力/流量调零计数、*大/*小压力及温度等关键数据，为预测性维护和智能故障预警提供数据支持。
• 灵活的小流量控制：支持 MRMG 功能（Bin101–Bin105），可实现从 2 SCCM 起的精密小流量控制，满足先进制程的精细化需求。
• 高控制精度：流量控制精度可达 ±1% S.P.，重复性优异，确保工艺的一致性和可重复性。

四、 主要应用场景

D717MG 主要应用于对气体流量控制要求极为苛刻的半导体及泛半导体制造工艺：

1. 刻蚀工艺 (Etching)：**控制刻蚀气体流量，保证刻蚀形貌和速率的均匀性。
2. 化学气相沉积 (CVD)：在薄膜沉积过程中，确保反应气体比例的精准，直接影响薄膜质量和厚度均匀性。
3. 原子层沉积 (ALD)：对气体脉冲的时序和流量精度要求极高，D717MG 的快速响应和**关断能力至关重要。
4. OLED 显示面板制造：在蒸镀、封装等关键工序中提供稳定的气氛控制。
5. 封装及材料气氛控制：为各类封装工艺和材料测试提供高纯、稳定的气体环境。