MKS 626D11TDE 电容式薄膜压力计

产品定位

MKS 626D11TDE 属于常温非加热型电容薄膜压力传感器，10Torr 量程，KF16 接口，面向精密真空工艺场景，多用于半导体工艺设备、镀膜设备、科研实验室、精细化工、新能源光伏等领域，作为腔室压力采集与工艺闭环反馈的核心测量部件，在对压力测量稳定性、气体兼容性有较高要求的工况中，是行业内认可度较高的真空测量器件，适配设备集成、备件替换、实验室搭建等采购需求。

核心技术和原理

采用电容式巴特勒（Baratron）测量技术，传感器内部为因科镍合金张紧隔膜结构，隔膜一侧接触工艺腔体，另一侧为高真空参考腔；腔体压力变化带动隔膜发生微小形变，改变隔膜与内部电极的间距，从而产生电容值变化，信号调理电路将电容变化转换为 0‑10VDC 线性模拟输出信号，测量结果不受被测气体组分影响，可输出对应实际**压力数值，搭配 15 针 D‑Sub 电气接口，可对接压力控制器、采集仪表与上位系统完成数据读取。

产品优势与特点

1、工艺接触部件采用 Inconel、Incoloy 镍基合金，耐腐蚀性介质，适配多种腐蚀性工艺气体工况。

2、读数精度可达 0.25%，高分辨率可达满量程 0.001%，响应速度小于 20ms，迟滞小，重复表现稳定，保障工艺压力监控一致性。

3、**压力测量，无需依赖参考气压，测量不受气体种类干扰，适配复杂工艺气环境。

4、具备较高过压耐受能力，可承受 310kPa 过压冲击，降低系统异常工况下的器件损伤风险。

5、KF16（NW16）标准真空法兰，安装方向不受限制，无需预热，上电即可投入使用，适配标准真空管路集成。 

6、0‑10VDC 标准模拟输出，通用性强，可兼容市面多数真空控制与数据采集系统，设备改造替换便捷。

主要应用场景

1、半导体行业：刻蚀设备、CVD 化学气相沉积、PVD 物**相沉积、薄膜工艺腔室压力监测、芯片研发设备、MEMS 器件制备设备。

2、镀膜与光学行业：光学镀膜、磁控溅射、真空蒸镀设备腔体压力测控。

3、光伏新能源：光伏薄膜制备、钙钛矿器件实验设备、电池材料真空处理设备。

4、科研实验室：真空实验平台、真空炉、气体激光装置、高校研究院理化实验装置。

5、精细化工工业：真空蒸馏、冻干工艺、特种化工气相反应釜压力采集。

6、重工工业装备：真空热处理炉、零部件真空涂层设备、特种测试工装。