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日本进口大阪真空(Osaka Vacuum)TGkine3300M-R涡轮分子泵
产品型号:大阪真空(Osaka Vacuum)-TGkine3300M-R
产品简介:
产品概述 TGkine 系列是大阪真空(Osaka Vacuum)磁悬浮轴承式复合涡轮分子泵,主打无油清洁真空、高排气量、耐腐蚀性、智能集成,排气速度覆盖 1700~3400 L/s,专为半导体、FPD、光伏等高负载 / 腐蚀性工艺场景设计,兼容频繁启停、大气体流量及复杂姿态安装,是**真空制程的核心主力泵型。
详细介绍
大阪真空(Osaka Vacuum)TGkine 系列涡轮分子泵
一、产品概述
TGkine 系列是大阪真空(Osaka Vacuum)
磁悬浮轴承式复合涡轮分子泵
,主打
无油清洁真空、高排气量、耐腐蚀性、智能集成
,排气速度覆盖 1700~3400 L/s,专为半导体、FPD、光伏等高负载 / 腐蚀性工艺场景设计,兼容频繁启停、大气体流量及复杂姿态安装,是**真空制程的核心主力泵型。
核心定位
轴承类型
:
磁悬浮轴承
(无接触、无油润滑,区别于 TG‑F/TG‑M 系列脂润滑轴承)
结构特点
:复合涡轮 + 牵引级结构、磁悬浮转子系统、内置控制器、耐腐蚀腔体涂层、高效冷却流道
运行模式
:高转速、高真空、大流量区间(10⁻¹~10⁻⁸ Pa),适配惰性 / 腐蚀性 / 大流量气体介质
二、核心特性
1. 无油清洁真空(磁悬浮核心优势)
采用
五轴磁悬浮轴承
,转子无机械接触、无需润滑脂 / 油,
彻底无油污染
,适配半导体、OLED、生物医疗等高洁净度要求场景,避免油脂返流污染腔体与工件。
2. 超高排气性能与大流量能力
排气速度:N₂*高
3400 L/s
,H₂*高
2700 L/s
,大流量工况下抽速稳定;
压缩比:N₂>
1×10⁸
,H₂达
3×10³
,强压缩比适配轻气体(H₂/He)高效抽排;
极限真空:<
2×10⁻⁷ Pa
(1.5×10⁻⁹ Torr),超高真空稳定性优异;
大气体流量:N₂*大
2600 sccm
,适配 CVD、刻蚀等大流量工艺。
3. 耐腐蚀性与长寿命设计
腔体与转子:
耐腐合金 + PTFE 涂层
,兼容 Cl₂、HF、HBr、NF₃等半导体腐蚀性工艺气体;
磁悬浮系统:无机械磨损,
设计寿命>20 万小时
,大修周期 5~8 万小时,支持 24/7 连续运行;
抗冲击能力:强化磁悬浮控制算法,可承受
500 次以上大气冲入
,适配频繁开门 / 维修场景。
4. 智能集成与便捷运维
控制器一体设计
:泵体集成驱动 / 控制单元,无需外接控制器,节省安装空间,支持参数自动存储与数据迁移(更换控制器不丢数据);
多重通讯:标配
EtherCAT/RS232C/DI‑DO
,兼容工业总线,支持远程监控、参数配置与故障诊断;
智能预警:内置振动 / 温度 / 转速传感器,实时监测运行状态,
提前预警轴承异常、过热、过载
,降低停机风险。
5. 安装自由度与紧凑轻量化
任意姿态安装:垂直、水平、倒立均可稳定运行,无方向限制,适配复杂管路与设备集成;
紧凑轻量化:同级别磁悬浮泵中
体积*小、重量*轻
(64~65 kg),节省设备空间,适配可搬式与移动工况。
6. 节能与**认证
省电设计:磁悬浮低功耗驱动,
比传统分子泵节能 30%+
,长期运行成本低;
**认证:
CE、SEMI‑S2、NRTL
,符合半导体工业**标准,适配高危腐蚀与高压工艺环境。
三、型号命名规则
型号编码(示例:TGkine3300M‑R)
代码
含义
可选值
TGkine
系列代号(磁悬浮复合涡轮分子泵)
TGkine
3300
排气速度(L/s,N₂)
1700/3300/3400
M
耐腐蚀设计(耐腐合金 + 涂层)
M
R/B
法兰类型
R=ISO‑R;B=ISO‑B
型号示例
TGkine3300M‑R:ISO‑R 法兰、耐腐蚀、排气速度 3300 L/s;
TGkine1700M‑B:ISO‑B 法兰、耐腐蚀、排气速度 1700 L/s。
四、全型号完整技术参数对照表(可编辑)
1. 性能参数(N₂,25℃,标准配置)
参数
TGkine1700M
TGkine3300M‑R
TGkine3400M‑R
排气速度(N₂,L/s)
1700
3300
3400
排气速度(H₂,L/s)
1300
2700
2700
极限真空(Pa)
<2×10⁻⁷
<2×10⁻⁷
<2×10⁻⁷
压缩比(N₂)
>1×10⁸
>1×10⁸
>1×10⁸
压缩比(H₂)
3×10³
3×10³
3×10³
大气体流量(N₂,sccm)
1800
2600
2600
启动时间(min)
≤9
≤11
≤11
停机时间(min)
≤10
≤13
≤13
2. 物理与电气参数
参数
规格
材质
泵体:耐腐合金 + PTFE 涂层;转子:耐腐合金;密封件:氟橡胶(Viton)
重量(kg)
TGkine1700M:52;TGkine3300M‑R/3400M‑R:64/65
转速(rpm)
24000~30000(磁悬浮无级调速)
电源
AC200~230 V(±10%),50/60 Hz,单相
冷却方式
水冷(标配),可选风冷;水温 10~35℃,流量 8~10 L/min
前级泵要求
推荐≥2000 L/min 干式耐腐泵,极限压力<110 Pa
入口法兰
ISO‑R250/ISO‑B250(耐腐密封面)
出口法兰
NW50(全型号统一,耐腐设计)
五、结构与外观(含尺寸图清单)
1. 内部结构(磁悬浮核心设计)
核心组件:
五轴磁悬浮轴承系统、耐腐合金转子、复合涡轮 + 牵引级叶片、内置控制器、高效冷却流道、耐腐蚀腔体
。
磁悬浮轴承:无接触支撑转子,消除机械磨损,降低振动(振幅<0.05 mm);
复合叶片:涡轮级 + 牵引级组合,兼顾高抽速与大压缩比,适配轻气体与大流量工况。
2. 全型号外观尺寸表
型号
高度(mm)
直径(mm)
入口法兰直径(mm)
出口法兰直径(mm)
对应尺寸图编号
TGkine1700M
420
280
ISO‑B250(300)
50
TGkine‑001
TGkine3300M‑R
480
320
ISO‑R250(285)
50
TGkine‑002
TGkine3400M‑R
480
320
ISO‑R250(285)
50
TGkine‑003
3. 尺寸图清单(可直接插入 Word/PDF)
TGkine‑001:TGkine1700M 尺寸图(含安装孔、法兰、控制器接口);
TGkine‑002:TGkine3300M‑R 尺寸图(含安装孔、法兰、水冷接口);
TGkine‑003:TGkine3400M‑R 尺寸图(含安装孔、法兰、通讯接口);
TGkine‑004:控制器一体接口定义图(EtherCAT/RS232C/DI‑DO)。
六、应用场景
1. 半导体制造
刻蚀设备(RIE/ICP):抽排 Cl₂、HBr、NF₃等腐蚀性工艺气体;
CVD 设备(PECVD/LPCVD):适配大流量硅烷、氨气等气体抽排;
离子注入 / 溅射:高洁净度、高真空环境,无油污染风险。
2. FPD 与光伏
OLED/LCD 制程:真空镀膜、等离子体清洗,耐腐蚀性与高抽速适配;
太阳能电池:PECVD 镀膜、真空层压,大流量工况稳定运行。
3. **科研与精密设备
表面分析(XPS/AES):超高真空、无油环境,保障检测精度;
加速器 / 宇宙模拟器:大流量、高稳定性,适配极端真空工况。
4. 腐蚀性气体处理
化工真空反应釜:抽排 HF、SiCl₄等腐蚀性气体;
废气处理系统:高压缩比处理低浓度腐蚀性废气。