一、系列定位与型号

• 定位：iQ 智能系列（Integrated Intelligence），在 QDP 基础上增加智能电控 + 远程通讯 + 状态监测，适配半导体洁净室与自动化产线。
• 核心型号：IQDP40、IQDP80（对应老款 QDP40/QDP80 的智能升级款）。

二、核心技术特点

1. 无油超高洁净
   • 泵腔无油 / 无密封液，零油雾返流，满足半导体高洁净要求。
   • 爪式 / 多级螺杆结构，PTFE 防腐涂层，耐受腐蚀性气体与水汽。
2. 真空性能强
   • 极限真空：≤2.5×10⁻² mbar（25 mTorr）。
   • 抽速（50/60Hz）：
     • IQDP40：200 / 235 m³/h
     • IQDP80：约 400 / 470 m³/h。
   • 水冷却、低振动 / 低噪音，适合 24 小时连续运行。
3. 智能集成控制
   • 内置电控：实时监测温度、电流、转速、泄漏，故障自诊断与预警。
   • 通讯接口：支持 RS485/Modbus，可接入半导体设备主机或 Fab 监控系统。
   • 保护功能：过温、过流、过载、缺水自动停机保护。
4. 结构紧凑易集成
   • 一体式机架带脚轮，ISO 63 标准进气法兰，适配设备嵌入或独立真空站。
   • 维护简单：无易损件，长维护周期，备件少、运行成本低。

三、技术参数（IQDP40 示例）

四、典型应用（半导体为主）

• 蚀刻（Etch）： dielectric、metal、silicon 蚀刻前级真空。
• 薄膜沉积（CVD/PVD/ALD）：PECVD、LPCVD、溅射、蒸镀的主抽 / 前级。
• 离子注入（Ion Implant）：束线与工艺腔低真空维持。
• 封装测试：晶圆 / 芯片真空吸附、检漏、烘烤 / 除气。
• 其他高洁净场景：光伏、LED、OLED、精密镀膜、科研设备。

五、与同类泵对比（IQDP vs GXS/XDS）

• IQDP：半导体中高真空 + 洁净 + 耐腐蚀，抽速中等（200–470 m³/h），适合蚀刻 / CVD / 离子注入。
• GXS：干式螺杆，大抽速（400–1600 m³/h），适合锂电池、光伏、大腔体 / 高气量制程。
• XDS：小型涡旋干泵，小抽速（10–60 m³/h），适合实验室、设备配套、真空吸附。

六、选型建议

• 半导体蚀刻 / CVD / 离子注入：优先 IQDP40/IQDP80（洁净 + 智能 + 耐腐蚀）。
• 半导体大腔体 / 高气量：选 GXS 系列（大抽速 + 稳定）。
• 焊线机 / 固晶机 / 真空吸附：选 XDS6i/10i（小型洁净 + 低噪）。