一、核心型号与定位

• 定位：iH = 工业级高真空干泵，比 IQDP 更大抽速、更耐粉尘，比 GXS 真空度更高、更洁净。
• 常用型号：
  • iH80：小抽速，约 80 m³/h，极限真空 ≤3×10⁻² mbar，ISO63 接口。
  • iH160：中抽速，约 160 m³/h，极限真空 ≤1×10⁻² mbar。
  • iH600：大抽速，600 m³/h，极限真空 7×10⁻⁴ mbar（0.07 Pa），ISO100 接口。
  • iH1000/iH1800：超大抽速，1000/1800 m³/h，用于 300mm 大腔体 / 多腔室制程。

二、技术特点（半导体严苛制程专用）

1. 五级干泵 + 罗茨增压，高真空 + 大抽速
   • 极限真空可达 7×10⁻⁴ mbar，满足 LPCVD/ALD 高真空需求。
   • 悬臂式转子 + 爪式 / 罗茨结构，强粉尘处理能力，不怕 PECVD 粉尘 / 副产物堆积。
2. 全无油 + 防腐，洁净耐腐蚀
   • 泵腔无油、PTFE 防腐涂层，耐受 HF、Cl₂、F₂ 等腐蚀性气体。
   • 高工作温度设计，防止易冷凝气体液化，减少泵内结垢。
3. 智能控制 + 低能耗 + 长寿命
   • 内置智能电控，支持 Modbus/RS485，远程监控温度 / 电流 / 泄漏。
   • 水冷却、低振动 / 低噪音（≤68 dB），24 小时连续运行，维护周期长。

三、关键参数对比（主流型号）

四、典型应用（半导体 / 面板为主）

• CVD 制程（核心）：PECVD、LPCVD、ALD、HDP CVD 的主抽真空。
• 蚀刻（Etch）：介质 / 金属 / 硅蚀刻、去胶 / 灰化的前级真空。
• 离子注入（Implant）：束线与工艺腔低真空维持。
• 平板 / 光伏：OLED、LCD、钙钛矿电池的镀膜 / 沉积制程。

五、iH vs IQDP vs GXS 选型

• iH 系列：高真空 + 大抽速 + 耐粉尘 → 半导体 PECVD/LPCVD/ 蚀刻（300mm 主力）。
• IQDP 系列：中真空 + 中抽速 + 洁净智能 → 半导体蚀刻 / 沉积（200mm 或 300mm 辅助）。
• GXS 系列：低真空 + 超大抽速 + 工业耐用 → 锂电池、光伏、大腔体（非半导体高真空）。

六、选型建议

• 半导体 CVD / 蚀刻（300mm）：优先 iH600/iH1000（高真空 + 耐粉尘）。
• 半导体 蚀刻 / 沉积（200mm）：选 IQDP40/80（洁净 + 智能 + 性价比）。
• 锂电池 / 光伏大腔体：选 GXS450/750（大抽速 + 稳定）。