一、核心定位与设计特点

• 干式无油设计：全程无油运行，避免油汽污染，满足半导体高洁净度要求。
• 模块化堆叠结构：干泵 + 罗茨增压泵组合，可上下堆叠，占地面积减少约 30%，适配紧凑厂区布局。
• 严苛制程强化：标配XCEDE 防腐涂层、Gas Buster™粉尘处理技术与宽温域热管理，抑制副产物沉积，延长使用寿命。
• 绿色节能：相较上代 iH 系列能耗降低约 10%，兼容 SEMI E54 与 Green Mode，降低拥有成本（CoO）。
• 智能集成：单控制器管理多泵系统，支持远程监控与故障诊断，简化运维。

二、主流型号与关键参数

• iXH100：抽速 100 m³/h，极限真空＜3×10⁻² mbar，进气 ISO63，功率 2.1 kW。
• iXH200H：抽速 215 m³/h，极限真空＜3×10⁻² mbar，进气 ISO63，功率 3.7 kW。
• iXH610：抽速 665 m³/h，极限真空 3.7×10⁻³ Torr（≈5×10⁻³ mbar），进气 ISO100，功率 2.6 kW。
• iXH1210：抽速 1025–1065 m³/h，极限真空＜5×10⁻¹ mbar，进气 ISO100，功率 3.2–3.9 kW。
• iXH1820：抽速 1700–1900 m³/h，极限真空＜5×10⁻¹ mbar，功率 4.8–5.5 kW。
• iXH3030：抽速 2750–2900 m³/h，极限真空＜5×10⁻¹ mbar，功率 7.5–11 kW。
• 后缀说明：H = 高氢抽速，T = 高温版（防沉积），HT = 高温 + 高防腐。

三、典型应用场景

1. 半导体晶圆制造：PECVD、ALD、LPCVD、高 K / 低 K 介电层沉积、SACVD、外延（EPI）、刻蚀（硅 / 氧化物 / 金属）、离子注入源。
2. 平板显示（FPD）：PECVD、TCO 沉积、刻蚀腔、传输腔真空获取。
3. 光伏与 LED：大流量氢气抽取、GaN 外延、钙钛矿电池制程、大面积镀膜。
4. 其他严苛工艺：含粉尘 / 腐蚀性气体的化工、镀膜、热处理等工业真空场景。

四、优势对比（vs 上代 iH 系列）

• 抽速覆盖更广：100–2900 m³/h，满足从研发到量产的全量程需求。
• 氢气处理能力跃升：专为 EPI 与太阳能制程优化，氢抽速提升显著。
• 维护周期延长：防腐与热管理升级，大修间隔增加，非计划停机减少。
• 噪音振动更低：紧凑轻量化设计，运行噪音＜75 dB，振动＜2.5 mm/s。

五、选购要点

1. 抽速匹配：按制程气体流量（尤其 H₂）与压力区间选择，预留 10–20% 余量。
2. 介质兼容性：含 Cl/F 基腐蚀气体选XCEDE 防腐版；高粉尘选 **Gas Buster™** 配置。
3. 温度工况：易冷凝 / 沉积工艺选T/HT 高温版（泵腔加热至 120–180°C）。
4. 电源与安装：标准 380V/50Hz，支持宽电压（380–460V）；进气 ISO63/100，排气 NW40。