二、主力型号 + 关键参数（N₂、50 Hz）

型号	抽速 (L/min)	极限真空 (Pa)	功率 (kW)	重量 (kg)	冷却	进气口径
EST10N	1,000（60 m³/h）	2.7	2.3	～150	水冷	NW40
EST25N	2,500（150 m³/h）	0.4	3.0	～180	水冷	NW40
EST100WN	10,000（600 m³/h）	0.4	3.2	～380	水冷	NW50
EST200WN	20,000（1,200 m³/h）	0.4	3.2	～400	水冷	NW100
EST300WN	30,000（1,800 m³/h）	0.4	4.5	～410	水冷	NW100
EST500WN	50,000（3,000 m³/h）	0.4	4.6	～700	水冷	ISO160
EST800WN	80,000（4,800 m³/h）	0.5	～7.5	～1,200	水冷	ISO200

✅ 三、核心特点（和 EV-M/Edwards iXH 差异）

1. 全程高温自加热（标配）

   泵腔维持 120～180℃，SiO₂、聚合物、粉尘不冷凝、不粘转子，CVD / 刻蚀粉尘工况寿命比普通干泵长 2～3 倍。
2. 耐蚀合金标准（Niresist 高镍铸铁）

   耐受 HCl、HF、NH₃、SiH₄、Cl₂ 等强腐蚀气体；可选镍涂层 / 镍合金升级。
3. 大粉尘处理能力（EST-WN 加强版）

   专为 CVD、ALD、PECVD、LPCVD 大量粉尘副产物设计，不易堵、维护周期长。
4. 水冷 + 低振动 + 变频标配

   散热好、连续 24/7 运行；变频调速（N₂ 流量自适应），比定频节能 30%+。
5. SEMI S2 / CE / NRTL 认证

   半导体量产线直接替代 Edwards iXH、Leybold Dryvac。

🏭 四、运用场景 + 行业（*核心）

1）半导体（主力：CVD / 刻蚀 / ALD）

• PECVD / LPCVD / HDP-CVD（二氧化硅 / 氮化硅沉积，粉尘*多）
• ALD 原子层沉积（精细薄膜、微量腐蚀）
• RTP 快速热退火（高温、少量气体）
• Etch 刻蚀（干法）（Cl₂、F₂ 腐蚀气体）
• MOCVD（LED / 功率半导体，金属有机 + 粉尘）
• 定位：中**量产线干泵，前级 + 主抽一体化，替代进口高价干泵

2）光伏（硅片 / 电池片）

• 扩散炉、PECVD、ALD、刻蚀机前级 + 主抽
• 硅片真空清洗、干燥、脱气
• 优势：耐粉尘、耐酸、寿命长、维护便宜，比国产干泵稳、比欧美便宜

3）化工 / 制药（腐蚀性 / 高粉尘）

• 精细化工蒸馏、脱气、聚合、溶剂回收
• 制药冻干、反应釜真空、溶剂脱除
• 电池材料（锂电 / 钠电）正极 / 负极真空干燥、烧结炉

4）显示面板（LCD/OLED）

• PECVD、溅射、蒸镀前级泵
• 大腔体粗抽 + 维持