一、基础规格（通用）

• 方式：直流 DC 电晕放电（正负离子独立输出）
• 输入电源：搭配 KD‑309 系列高压电源
• 输入电压：AC100–240V
• 工作距离：50～300mm（半导体常用 80–200mm）
• 有效除电宽度：对应棒长，每根有效宽度≈棒长‑50mm
• 臭氧发生量：极低，Class10000 洁净室可用
• 工作温度：0～40℃
• 防护：防尘结构，表面阳极氧化铝，耐酸碱清洗

二、核心电气参数

• 高压输出：约 ±4.5kV DC
• 离子平衡：±10V 以内（半导体关键指标）
• 除电速度：10kV → 100V，≤1 秒（150mm 距离）
• 放电针：钨合金针，耐磨、不易氧化
• 漏电电流：＜10μA，**合规

三、型号区分（3 个版本，半导体对应场景）

1. KDB‑□□□ 标准型（基础款）

• 结构：一体式棒体，放电针内置
• 长度：400 / 500 / 600 / 800 / 1000 / 1200 / 1500 / 2000mm
• 适用：一般晶圆输送、载具、封装机台、贴膜

2. CKDB‑□□□ 可快速换针型（半导体*推荐）

• 特点：放电针可单独拆卸更换，不用拆整根棒，维护极方便
• 适用：粉尘较多、切割 / 研磨后段、高频维护场景

3. KDB‑SI 防尘洁净型（Fab 高洁净区）

• 结构：带防尘套筒、陶瓷绝缘密封，减少粉尘堆积
• 适用：晶圆制程、探针台、涂布、曝光周边高洁净区域

四、配套电源

• KD‑309B：单根驱动，经济型
• KD‑309L：一拖多，可同时带多根 KDB
• KD‑309BS/LBS：带故障报警、离子异常输出信号（可接 PLC）

五、半导体选型要点（直接用）