一、核心规格（全系列通用）

• 额定电压：3Φ 277/480VAC、289/500VAC（50/60Hz，半导体全球标准）
• 电路结构：三相三线、两级 / 三级共模 + 差模（高噪声必选三级）
• 绝缘耐压：线 - 线 2500VDC/1min；线 - 壳 3000VDC/1min（高于 TB3，防击穿）
• 漏电流：标准≤10mA；高可靠≤25mA；超大功率≤85mA
• 温度范围：-25℃～+105℃（含温升，适配扩散炉 / 腔体高温环境）
• 认证：CE、cULus、cCSAus、SEMKO、ENEC、KC（SEMI S2 **合规，洁净室无粉尘挥发）
• 结构：加厚金属外壳、环氧树脂真空灌封、母线 / 大端子台、底座 / DIN 导轨安装（抗震、防潮、防腐蚀，24h 连续运行）
• 关键优势：高插入损耗（1MHz～30MHz≥60dB）、高浪涌耐受（5kA）、低阻抗、无泄漏

二、半导体常用型号（参数速览，按功率分级）

标准大功率型（500VAC，两级滤波，≤105℃）

• TB6-5030D3DH：30A；500VAC；两级；漏流＜10mA（CVD 小型机）
• TB6-5040D3DH：40A；500VAC；两级；漏流＜10mA（PVD / 刻蚀主电源）
• TB6-5060D3DH：60A；500VAC；两级；漏流＜15mA（扩散炉 / 大型真空泵）
• TB6-5080D3DH：80A；500VAC；两级；漏流＜15mA（离子注入机）
• TB6-5100D3DH：100A；500VAC；两级；漏流＜20mA（高压射频电源）

超高噪声专用型（三级滤波，高抑制，≤105℃）

• TB6-B060LAS：60A；480VAC；三级；漏流＜25mA（高噪声腔体 / 射频干扰环境）
• TB6-B080LAS：80A；480VAC；三级；漏流＜25mA（CVD/PECVD 强干扰）
• TB6-B100LAS：100A；480VAC；三级；漏流＜30mA（大功率沉积设备）

超大电流旗舰型（母线连接，≤105℃，24h 满负载）

• TB6-4200BC6：200A；440VAC；三级；漏流＜50mA（Fab 主配电 / 大型机台群）
• TB6-4300BC6：300A；440VAC；三级；漏流＜60mA（超大型扩散炉 / 生产线）
• TB6-4400BDA2T：400A；440VAC；三级；漏流＜85mA（Fab 总电源 / 大功率集群）

三、半导体选型要点（场景化推荐）

1. 高噪声腔体（CVD/PECVD/ 刻蚀）：TB6-B080LAS（80A、三级滤波、高抑制，射频干扰克星）
2. 扩散炉 / 高温腔体：TB6-5060D3DH（60A、500V、耐高温，24h 连续运行）
3. 离子注入 / 高压射频电源：TB6-5100D3DH（100A、高浪涌耐受、低漏流）
4. Fab 主配电 / 机台群：TB6-4200BC6（200A、母线连接、三级滤波，保障整线 EMI 合规）
5. 与 TB3 区别：TB3（≤40A，标准噪声）；TB6（≥30A，高噪声 / 大功率，三级滤波 + 更高耐压 + 更高温度）

四、型号命名规则（快速解读）

• TB6 - 50 40 D 3 DH
  • TB6：系列名（三相三线大功率）
  • 50：500VAC 额定电压（48=480V、44=440V）
  • 40：额定电流（40A）
  • D：两级滤波（B = 三级滤波，高噪声）
  • 3：标准漏流（L = 低漏流，H = 高可靠）
  • DH：金属外壳 + 耐高温（LAS = 高噪声专用，BDA2T = 超大电流母线型）