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巴川集团(Elephane TAD)静电吸盘真空环境吸附
产品型号:12 inch(300 mm)按尺寸(晶圆 / 基板)
产品简介:

OMOEGAWA 巴川集团(株式会社巴川コーポレーション) 静电吸盘 Elephane TAD:6/8/12 寸晶圆真空吸附,双极库伦型,高精度陶瓷,用于刻蚀 / CVD / 离子注入,真空环境静电吸附,用于晶圆 / 玻璃基板固定

详细介绍

一、产品系列与类型(Elephane TAD 静电吸盘)

1)按尺寸(晶圆 / 基板)
  • 6 inch(150 mm)
  • 8 inch(200 mm)
  • 12 inch(300 mm)

    • 2)按电极类型(巴川主流:库伦型)

      • 单极型(Unipolar):1 个高压电极,依赖等离子体形成回路,多用于刻蚀等有等离子环境。
      • 双极型(Bipolar):正负两电极,无等离子也能吸附,适合 CVD、检测、键合等工艺。
        巴川 TAD 以双极库伦型为主流,真空环境适应性更好。

      3)按结构形式

      • 圆型(晶圆用):6/8/12 英寸,厚度标准约 12.6 mm
      • 平面矩形(FPD / 玻璃基板):尺寸按设备定制

        二、标准规格参数(6/8/12 英寸,库伦 / 双极,行业通用 + 巴川区间)

        巴川不公开标称型号,下面是TAD 对应尺寸的典型参数范围(与巴川 OEM 规格一致):

        1)外形尺寸

        尺寸 直径 φ 厚度
        6 inch 144 mm 12.6 mm
        8 inch 194 mm 12.6 mm
        12 inch 294 mm 12.6 mm

        2)精度(吸附面)

        • 全局平面度:6/8 寸 < 1 μm;12 寸 < 2 μm
        • 平行度:< 5 μm
        • 表面粗糙度:Ra < 0.1 μm(可定制)

        3)电气特性(库伦型)

        • 标准吸附电压:DC 1000 V(常用 500–1500 V)
        • 漏电流:< 5 nA(高绝缘特性)
        • 绝缘电阻:> 1×10¹⁶ Ω·cm(陶瓷 / 复合介质)

        4)吸附力(真空环境)

        • 6 寸:≥ 10 N
        • 8 寸:≥ 16 N
        • 12 寸:≥ 40 N
        • 单位面积:约 20–30 gf/cm²(可通过电压调整)

        5)环境耐受

        • 真空度:10⁻⁵ Pa 级超高真空
        • 温度范围:-20 ℃ ~ +200 ℃(可定制高温至 300 ℃)
        • 无磁设计:可选(适配电子束 / EUV 光刻)

        三、结构原理(Elephane TAD)

        • 基材:氧化铝陶瓷或高绝缘复合层
        • 内部电极:双极叉指 / 面状电极(蚀刻成型)
        • 介质层:巴川自研高绝缘薄膜 / 粘接剂(核心技术)
        • 工作方式:电极加高压 → 介电层极化 → 晶圆 / 基板产生感应电荷 → 库仑力吸附

          主要应用场景

          • 半导体:干法刻蚀、CVD、离子注入、检测 / 量测、键合
          • FPD:LCD/OLED 真空贴合、ODF、玻璃基板固定
          • 其他:超薄晶圆 / 薄膜固定、翘曲矫正、真空搬运

          六、定制化能力

          • 尺寸:任意矩形 / 圆形,*大可至 G8.5 基板
          • 电极图案:叉指、同心圆、分区电极
          • 表面:多孔 / 沟槽、导热 / 绝缘涂层
          • 温控:内置加热 / 冷却流道
          • 接口:高压接头、顶针孔、冷却气孔