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Otsuka大塚FE 系列高精度自动化膜厚仪
产品型号:FE-5700
产品简介:
日本 Otsuka(大塚)集团旗下涉及半导体业务的主体为大塚电子(Otsuka Electronics) 和大塚化学(Otsuka Chemical),产品聚焦半导体量测设备与电子化学品 / 功能材料两大类,一、大塚电子(Otsuka Electronics):半导体量测设备 核心产品线:膜厚测量、晶圆几何量测、显微光谱分析、缺陷检测、光学特性评价。
详细介绍
FE 系列(FE-300/3700/5700/5000)
—— 独立台式 / 离线膜厚仪(你说的 Stand-alone 膜厚測定機)
LS 线扫描系列
—— 离线 / 在线大面薄膜测厚,有时也被混称为 TE
下面把
*接近你要的 “Stand-alone 膜厚量測設備”——FE 系列
,按型号、核心参数、半导体运用场景完整说明;顺带把 LS 离线型也带上。
一、FE 系列(Stand-alone 台式膜厚仪,常被称为 TE)
1)FE-300 系列(入门通用型)
型号细分
FE-300V
:标准型(Vis 可见光)
FE-300UV
:紫外增强型
FE-300NIR
:近红外厚膜型
核心参数(共性)
测量原理:
反射分光干涉 + **反射率分析
膜厚范围:
FE-300UV:
1 nm ~ 30 μm
FE-300V:
3 nm ~ 50 μm
FE-300NIR:
16 nm ~ 300 μm
波长:
UV:230–800 nm
VIS:360–1100 nm
NIR:900–1600 nm
单点测量时间:
≤1 s
光斑:
φ20 μm
可解析层数:
*多 10 层
尺寸:台式小型机,约 350×450×200 mm
运用场景(半导体)
200 mm 晶圆量产抽检
:SiO₂、SiN、光刻胶(PR)、多晶硅厚度
R&D 小批量
:实验室离线测厚、工艺条件筛选
封装 / 载板
:干膜、阻焊层、PI 膜、环氧树脂层
化合物半导体
:GaAs、InP 上介质膜 / 金属膜厚
2)FE-3700 / FE-5700(高精度、自动化型)
核心参数
波长:230–1700 nm(UV–NIR 宽带)
膜厚:
1 nm ~ 500 μm
重复性:
≤±0.05 nm(超薄膜)
平台:
全自动 XYθ 平台(300 mm 兼容)
映射:
2D/3D 厚度分布图
层数:
*多 20 层解析
运用场景
300 mm 晶圆厂离线质检
:CMP 后氧化层残留、STI 浅沟槽、ILD 层间介质
光刻工艺
:PR 膜厚 + 均匀性检测(曝光前 / 后)
超薄高 k 介质
:几 nm–几十 nm HfO₂、Al₂O₃ 等
功率器件
:厚场氧、钝化膜、外延层测厚
3)FE-5000 / 5000S(光谱椭偏,**膜厚 / 光学常数)
核心参数
测量方式:
光谱椭偏 + 反射率
波长:190–1700 nm
膜厚:
0.1 nm ~ 500 μm
可测:
膜厚 + 折射率 n + 消光系数 k
自动变角:
45°–90° 自动入射角
解析能力:
多层膜、梯度膜、超晶格
运用场景
先进制程(7nm–28nm)
:极薄栅氧、高 k / 金属栅叠层
FinFET、GAA
:侧墙 / 间隔层、SiGe 外延层厚度与组分
非晶 / 微晶薄膜
:TFT、IGZO、SiNx 钝化膜
高精密光学镀膜
:AR、HR、DLC、多层滤光片
LS 离线线扫描膜厚仪(常被混称为 TE 离线型)
型号
:LS 离线型(Line Scan, Offline)
核心参数
膜厚范围:
0.1 μm ~ 300 μm
测量宽度:
250 mm(X 向)
扫描速度:
1 ms / 点,500 万点 / 分钟
台面:真空吸附平台,可放整片 200 mm 晶圆 / 方片
尺寸:459×609×927 mm,重量 60 kg
运用场景
大面积均匀性检测
:整片晶圆 / 玻璃基板膜厚 mapping
厚胶 / 厚膜
:临时键合胶、封装填充层、厚光刻胶(>50 μm)
FPD 与半导体
:LCD/OLED 基板、大尺寸晶圆 TSV 厚硅层
制程异常分析
:膜厚不均、边缘堆积、条纹缺陷快速定位
、FE(TE)系列选型速览(半导体常用)
超薄栅氧 / 高 k(1–100 nm)
→
FE-300UV / FE-5000
200mm 量产、SiO₂/SiN/PR(3–50 μm)
→
FE-300V
300mm、CMP/ILD/ 厚膜(50–300 μm)
→
FE-300NIR / FE-3700
先进制程、n/k 常数、多层叠层
→
FE-5000
整片大面均匀性、厚胶 / 基板
→
LS 离线线扫描