二、型号体系（结构 × 波段）

1）按机械结构（3 类）

• OPTM‑A：自动 XY 平台（离线 / 实验室、整片 Mapping）
• OPTM‑F：固定台架（研发 / 单点量测）
• OPTM‑H：分体探头（嵌入产线、Inline）

2）按波段 / 测厚范围（3 档，SiO₂基准）

三、核心参数（全系列共性）

• *小光斑：φ3 μm（显微聚焦，微区 / 图案区量测）
• 测量时间：≤1 秒 / 点（含自动对焦 + 解析）
• 层数解析：*多 50 层 同步（含超薄 + 厚膜叠层）
• 精度：SiO₂ 重复精度 ≤±0.1 nm；n/k 同步输出
• 平台（A 系列）：300 mm 兼容 XYθ 自动平台，2D/3D Mapping
• 特色**：透明基板去除背面反射，真实膜厚 / 折射率

四、半导体运用场景（按工艺）

1）先进制程（7–28 nm）

• 超薄栅氧 / 高 k：1–10 nm HfO₂、Al₂O₃、SiO₂（A1 **）
• FinFET/GAA：侧墙、间隔层、SiGe 外延层厚度 + 组分（n/k）
• STI/ILD：浅沟槽氧化层、层间介质厚度均匀性（A1/A2）

2）光刻 / 掩模

• 光刻胶（PR）：100 nm–10 μm，曝光前后膜厚 + 均匀性（A1）
• 硬掩模 / 抗反射层（ARC）：超薄叠层（A1）

3）功率 / 化合物半导体

• SiC/GaN：外延层、钝化膜、厚氧化层（A3，近红外穿透）
• IGBT/MOSFET：厚场氧、钝化膜、保护层（A2/A3）

4）晶圆 / 封装

• 临时键合：超薄硅 + 胶层 + 支撑基板，微区测胶厚（A2/A3）
• TSV 周边：硅表面绝缘层、钝化膜（A1/A2）
• 载板 / PI / 干膜：5–50 μm 厚膜、均匀性（A2/A3）

5）FPD / 光学（延伸）

• OLED/ITO：透明导电膜、有机层（A2）
• 光学镀膜：AR/HR/DLC、滤光片多层膜（A1/A2）

五、选型速记（半导体优先）

• 超薄膜（1–100 nm） → OPTM‑A1（UV）
• 通用膜 / 光刻胶（1–50 μm） → OPTM‑A2（Vis）
• 厚膜 / 树脂 / SiC（10–90 μm） → OPTM‑A3（NIR）
• 离线 Mapping / 整片检测 → A 系列（自动平台）
• 产线 Inline 嵌入 → H 系列（分体探头）

六、与 FE/SF‑3 区别（快速区分）

• FE（TE）：大光斑（φ20 μm）、整片平均 / 抽检，量产离线
• SF‑3：穿透式、测晶圆厚度 + 胶层，研磨 / 键合在线
• OPTM：显微小光斑（φ3 μm）、微区 / 图案区、多层 + nk，研发 / 先进制程 / 微区失效分析