一、全型号与核心参数（4 款）

1）SF-3/200（超薄 / 薄晶圆主力）

• 硅片范围：6–400 μm
• 树脂 / 胶层范围：10–1000 μm
• 重复精度：≤±0.01%
• 采样速度：5 kHz（200 μs）
• 光斑直径：φ20–27 μm
• 工作距离 WD：50/80/120/150/200 mm

2）SF-3/300（标准 300mm 晶圆主流）

• 硅片范围：10–775 μm
• 树脂 / 胶层范围：20–1500 μm
• 精度 / 速度 / 光斑 / WD：同 SF-3/200

3）SF-3/800（厚晶圆 / 基板）

• 硅片范围：20–1000 μm
• 树脂 / 胶层范围：40–2000 μm
• 精度 / 速度 / 光斑 / WD：同 SF-3/200

4）SF-3/1300（特厚 / 450mm/TSV）

• 硅片范围：50–1300 μm
• 树脂 / 胶层范围：100–2600 μm
• 精度 / 速度 / 光斑 / WD：同 SF-3/200

共同核心参数（全系列）

• 测量原理：光谱干涉 + FFT 多层解析（**算法）
• 层数：*多5 层同步测量
• 接口：LAN（TCP/IP）、I/O 触发
• 尺寸：123×224×128 mm
• 光源：半导体激光（Class 3B）

二、各型号运用场景（按工艺）

SF-3/200（6–400 μm）

• 薄晶圆 / 超薄晶圆：200mm 减薄到 50–200 μm（如功率器件、CMOS 影像传感器）
• 临时键合（Temporary Bonding）：超薄硅 + 树脂胶层 + 支撑基板，测硅层 + 胶层
• Backgrind 研磨终点控制：超薄片防破片，非接触在线监控
• 化合物半导体：GaAs、InP 薄片（10–300 μm）

SF-3/300（10–775 μm）——*通用

• 300mm 标准晶圆：原始厚度 725 μm、研磨后 500–700 μm
• CMP 后厚度均匀性：氧化层 / 硅层残留厚度映射
• TSV 中段 / 后段：硅层厚度（不含通孔）、SiO₂ 绝缘层
• 键合晶圆（Bonded Wafer）：硅 - 硅键合、硅 - 玻璃键合，测上下硅层 + 中间胶层

SF-3/800（20–1000 μm）

• 厚硅晶圆：功率器件（IGBT、MOSFET）原始片 800–1000 μm
• 玻璃基板 / 石英：LCD、OLED、掩模版基板（500–1000 μm）
• 厚胶层 / 厚膜：临时键合厚胶（200–2000 μm）、封装填充层

SF-3/1300（50–1300 μm）

• 450mm 大晶圆：下一代超厚原始片（1000–1300 μm）
• TSV 深硅层：高纵深比 TSV，硅层厚度 800–1200 μm
• 厚支撑基板：临时键合用玻璃 / 硅支撑（1000–1300 μm）
• 特殊封装：SiP 厚基板、嵌入式芯片载板

三、典型集成方案

• 在线研磨机：探头装在研磨轮侧，实时反馈厚度→自动补偿，良率↑、破片↓
• EFEM/Load Port：搭配 GS-300 做厚度 + 翘曲 + 平坦度一体化量测
• 自动 Mapping：Rθ/XY 平台，生成厚度分布彩色映射图（2D/3D）