MINUK（光波动场三维显微镜）— Otsuka 

一、核心原理：光波动场 + 数字重聚焦

• 用638 nm 单波长激光（Class 1，**）照射样品，捕捉振幅 + 相位的完整波场
• 波面传感器记录整个 3D 光场，软件做数值解析 / 数字重聚焦：
  • 一次拍摄（<1 ms） 覆盖 Z=1400 μm 全深度
  • 事后可在任意深度平面虚拟对焦，无需机械移动

• 传统：逐层机械对焦→堆叠成像→慢、有机械误差、透明样品难看见。
• MINUK：一次捕获全深度→软件任意对焦→超快、无机械误差、透明结构清晰可见。

二、型号与配置（目前单型号，多配件）

• 主机型号：MINUK（标准一体式）
• 平台选项：
  • 高精度自动 XY：±10 mm，0.1 μm 分辨率
  • 大行程粗调：X=129 mm，Y=85 mm（可放整片 200 mm 晶圆）
• 激光：638 nm，0.39 mW（Class 1）；可选 NIR（830/1030 nm）
• 尺寸 / 重量：505×630×439 mm，约 60 kg

1）视野与分辨率

• XY 视场：700×700 μm（大视野，减少拼图）
• XY 分辨率：0.488 μm（成分）/0.691 μm（单次）
• Z 深度范围：1400 μm（1.4 mm），一次全捕获
• Z 分辨率：10 nm（相位延迟），纳米级高度差可分辨

2）测量性能

• 单张拍摄时间：<1 ms；完整 3D 数据约 2 秒
• 可测样品：透明 / 半透明 / 弱吸收（SiO₂、SiN、光刻胶、PI、树脂、玻璃、蓝宝石、SiC/GaN 外延）
• 缺陷灵敏度：nm 级透明异物 / 划痕 / 空洞（传统显微镜不可见）

1）晶圆与介质层（前道）

• 超薄栅氧 / 高 k：1–10 nm HfO₂/Al₂O₃ 的均匀性 + 微小针孔 / 缺陷检测。
• STI/ILD：浅沟槽氧化层、层间介质的3D 轮廓 + 内部空洞 / 杂质。
• 光刻胶（PR）：透明胶层内部缺陷 / 气泡 / 边缘粗糙度，曝光前后对比。

2）功率 / 化合物半导体

• SiC/GaN 外延：透明外延层厚度均匀性 + 微裂纹 / 位错 / 夹杂（传统 SEM 需切片）。
• 钝化膜 / 保护层：SiN/Al₂O₃ 膜的针孔 / 击穿点 / 厚度波动。

3）先进封装（2.5D/3D、临时键合）

• 临时键合结构：超薄硅 + 胶层 + 支撑基板，胶层厚度 + 气泡 / 分层 + 硅表面划痕。
• TSV 周边：硅通孔绝缘层厚度 + 侧壁缺陷 + 底部空洞。
• 载板 / PI / 干膜：透明 PI 层 / 干膜厚度均匀性 + 内部异物 / 褶皱。

4）光学 / 显示（延伸）

• AR/VR Pancake 模组：偏光片 / 相位差膜厚度 + 均匀性 + 贴合缺陷。
• Micro OLED：透明有机层 / 彩色滤光片厚度 + 缺陷。

五、MINUK vs OPTM vs FE（关键区别）

• FE（TE）：膜厚为主、大光斑（20 μm）、离线量产抽检、无 3D 形貌。
• OPTM：显微膜厚 + nk、小光斑（3 μm）、微区 / 图案区、多层解析、无大深度 3D。
• MINUK：光场 3D 显微镜、700 μm 大视野 + 1.4 mm 深、无需对焦、透明缺陷可视化、侧重三维形貌 + 内部缺陷。

六、总结（选型一句话）

• 要透明样品 3D 形貌 + 内部纳米缺陷 + 无需对焦 + 大深度 → 选 MINUK。
• 要微区多层膜厚 + nk → 选 OPTM。
• 要量产离线膜厚抽检 → 选 FE。