欢迎进入玉崎半导体(深圳)有限公司网站!

成为连接全球半导体资源
与国内终端需求的核心桥梁

全 国 服 务 电 话
13530227878

您的位置 : 首页 > 产品中心 > KYOCERA京瓷
产品分类导航
PRODUCT CENTER
MKS
MTL
KYOCERA京瓷 射频功率晶体管用封壳
产品型号:TF-HB
产品简介:

KYOCERA京瓷射频功率晶体管用封壳 京瓷提供用于RF功率晶体管的管壳,京瓷的低电阻陶瓷真空电极和低热阻散热材料适合用于高功率器件。 RF:射频 LDMOS:横向扩散金属氧化物半导体 FET:场效应晶体管 HEMT:高电子迁移率晶体管 GaAs:砷化镓。GaN:氮化镓。SiC:硅碳化物

详细介绍
KYOCERA京瓷  射频功率晶体管用封壳


热沉材料

 

热膨胀系数(ppm/K)
(RT~400℃)
热导率
(W/mK)
填充密度
(g/m3)
硬度
(Hv)
拉伸强度
(MPa)
杨氏模量
(GPa)
O.F.H.C.
(无氧铜)
19 391 8.9 80 206 117
CuW 10/90 (%) 7 175 16.8 300 882 313
15/85 (%) 7.8 185 16.3 280 843 294
20/80 (%) 8.8 200 15.6 260 784 265
25/75 (%) 9.5 230 14.8 240 686 225
CuMo 35/65 (%) 8.1 * 210 9.7 162 560 208
40/60 (%) 8.5 * 220 9.5 180 608 206
50/50 (%) 10.4 * 260 9.5 150 539 186
60/40 (%) 10.8 * 275 9.4 130 461 157
CPC (141) 7.8 * 200 9.5 - 380 160
CPC (232) 8.8 * 235 9.3 - 350 130
KYCM Cu/Mo/Cu 7.3~10.5 260~310
(垂直方法)
8.9~9.2 - -324 -
CM360 15.5 360 - - - 130