一、基础基材材料型号（MIC 基板陶瓷母材，标准牌号）

1. AO493H（主力 MIC 标准基材，99.6% 高纯氧化铝抛光）

• 介电常数 εr=9.6@1MHz，损耗极低、表面镜面抛光（Ra＜0.02μm）
• 导热 14W/mK，热膨胀 7.1ppm/℃
• 标准厚度：0.25 / 0.38 / 0.635mm
• *大尺寸：120×120mm 方形
• 适用：1–40GHz 通用射频 MIC、LDMOS/GaN 功放匹配基板、24G/77G 车载雷达

2. AO493O（超高纯等离子级氧化铝，高频低损耗升级款）

• 晶粒更细、杂质含量极低，微波插损进一步降低
• 适用：Ka/Ku 毫米波、卫星通信、**雷达高频 MIC

3. AO700 / AO800（低介电灰色陶瓷，毫米波专用基材）

• εr≈7.0，高频信号串扰极小
• 适用：30–80GHz 毫米波 MIC、5G 毫米波基站、短距雷达

4. AN216A / AN230（氮化铝 AlN 高导热 MIC 基板，大功率散热款）

• 导热 170/230W/mK，解决大功率 GaN 功放散热
• 适用：百瓦级射频功率模组、宏基站功放 MIC 基板

5. 补充对比基材（不主推 MIC，仅厚膜用）

二、薄膜线路金属化体系（标准膜层结构，无独立型号，分层工艺规格）

1 层膜（简单低频射频）

• *小线宽 / 线距：20μm / 15μm
• 线路精度 ±5μm

2 层膜（主流 MIC 单层布线，90% 射频产品）

• 镀金厚度可选 1.5μm / 3μm
• 支持金丝 / 铝丝 / 铜带键合

3 层膜（多层交叉布线，复杂毫米波多通道）

• *小线宽 / 线距：30μm / 20μm

特色导电结构（MIC 标配工艺）

1. 通孔金属化：孔径 Φ0.1~4mm，孔壁全覆盖金属，正反地导通
2. 城堡侧边焊盘（Castellation）：基板侧边半圆孔金属化，SMT 直接贴装接地，无需引线
3. 桥架跨线：绝缘介质隔离交叉走线，减少跳线，简化射频匹配电路

三、薄膜无源元件标准参数（集成在 MIC 基板内部）

1. Ta₂N 薄膜电阻（全系 MIC 标配）

• 方阻：10～100Ω/□
• TCR 温漂：-100±20 ppm/K（-25~85℃）
• 激光修整后公差 ±3%，不修 ±20%
• 高温可靠性：125℃ 1000h 阻值漂移≤0.4%
• 用途：射频衰减器、偏置限流、匹配负载电阻

2. MIM 薄膜金属绝缘金属电容

• 适用：隔直电容、射频匹配谐振电容

对应配套器件 & 应用场景（和前文射频封壳联动选型）