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JSR株式会社EUV 极紫外光刻胶先进制程
产品型号：EUVR-4490
产品简介：

JSR 全系列光刻胶 光刻技术是决定半导体器件小型化和性能的核心技术。在该领域，JSR 提供​​种类繁多的产品，从适用于各种波长的光刻胶到有机和无机多层材料，应有尽有。 按曝光波长 / 应用场景分为六大类：EUV 极紫外、ArF 干式 / 浸没、KrF、i 线 g 线、THB 厚膜电镀胶、WPR/PI 感光封装介电，配套 TCX 浸没顶涂层。
详细介绍


JSR株式会社EUV 极紫外光刻胶先进制程
EUV 极紫外光刻胶（7nm~2/3nm 先进制程，JSR **）



EUVR-4000 第三代**平台（3nm 量产、N3/2nm 试产）

  • EUVR-4400：超高分辨率基线款，12nm 半间距以下 LS 图形
  • EUVR-4430：超低 LWR 线宽粗糙度，GAA 环绕栅关键层专用
  • EUVR-4460：高灵敏度配方，降低 EUV 机台曝光剂量，提升产能
  • EUVR-4490：PFAS 无氟环保型 EUV CAR，新一代产线合规需求
  • EUVR CAR = 有机化学放大光刻胶（当前成熟量产主力）
  • MOR 系列 = 金属氧化物无机 EUV 胶（原 Inpria，不属于 EUVR CAR 产品线，二者并行）
  • 后缀带 JN/J 为标准出货规格，对应晶圆厂标准分装型号

    • EUV 极紫外光刻胶（7nm~2/3nm 先进制程，JSR **）

    系列型号 类型 核心用途 工艺节点
    EUVR CAR 系列 化学放大正胶 逻辑、存储关键层线条 / 通孔 7nm–3nm 量产
    MOR 系列（原 Inpria） 金属氧化物无机 EUV 胶 下一代 2nm 及以下超高分辨率、低粗糙度 3nm–2nm 研发 / 试产

    研发测试型号（2nm 及以下预研、实验室样品）

    • EUVR-5010：短酸扩散 PAG 改性 CAR，适配 10nm HP 以下超细线
    • EUVR-5030：金属掺杂增强感光 PSCAR 体系，兼顾高分辨与高敏感度
    • EUVR-5070：混合树脂低收缩 CAR，抑制曝光后图形形变