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JSR株式会社 ArF 193nm 光刻胶
产品型号:AEX4780J
产品简介:

JSR 全系列光刻胶 光刻技术是决定半导体器件小型化和性能的核心技术。在该领域,JSR 提供​​种类繁多的产品,从适用于各种波长的光刻胶到有机和无机多层材料,应有尽有。 按曝光波长 / 应用场景分为六大类:EUV 极紫外、ArF 干式 / 浸没、KrF、i 线 g 线、THB 厚膜电镀胶、WPR/PI 感光封装介电,配套 TCX 浸没顶涂层。

详细介绍

JSR株式会社 ArF 193nm 光刻胶
SR 1957 年以合成橡胶起家,依托高分子聚合技术,四大核心业务板块:半导体电子材料(全球龙头,核心高价值业务)、合成树脂 / 橡胶、显示光学材料、生命科学生物材料,其中半导体光刻胶是全球战略级wangpai产品
全球**光刻胶头部厂商,ArF 浸没顶涂层、低温感光绝缘膜全球市占**,覆盖芯片前道光刻、制程抛光、薄膜沉积、先进封装全链条材料

1. 光刻光刻胶(Photoresist,*核心产品)

覆盖全波段,支撑 7nm~2nm 先进制程:
  1. EUV 极紫外光刻胶
    • CAR 化学放大光刻胶、收购 Inpria 后的MOR 金属氧化物无机光刻胶(下一代 EUV 主力)
    • 全球约 35% 市占,台积电 3/2nm 产线主流供应商
  2. ArF 浸没式光刻胶
    • AR 系列(AR2772JN 等)通孔 / 线条专用胶;配套TCX 浸没顶涂层(全球市占**,抑制水浸润缺陷)
  3. KrF 光刻胶:V146G、M 系列,成熟逻辑 / 存储芯片量产
  4. i/g 线光刻胶:IX 系列正胶、NFR 负胶,用于功率半导体、MEMS、面板驱动 IC
  5. THB 厚膜负性光刻胶(ELPAC™系列)
    THB-111N/126N,膜厚 5~150μm,用于 Micro LED 巨量转移、晶圆凸块、RDL 再布线、细间距电镀封装


ArF 193nm 光刻胶(干式 Dry + 浸没 Immersion,28–65nm 主力)

1)ArF 干式 AR/AIM 系列(干法曝光)

型号 细分定位 适用线宽 CD 应用场景
AR2772JN 通用标准干式胶 90–120nm 逻辑、存储通用线条、通孔
ARX3500JN 厚膜注入专用 120nm 以上 离子注入掩模层
AIM9310JN 高分辨密集线条 80–90nm 高密度存储阵列
AIM6779JN Contact Hole 通孔专用 65–100nm 接触孔、金属通孔

2)ArF 浸没 AEX 系列(液浸曝光,40–65nm)

型号 定位 CD 线宽 用途
AEX4459JN 通用细线 42–75nm 28/40nm 逻辑关键层
AEX4780J 超高密度低 LER 40–60nm DRAM、Flash 高密度布线
AEX2055JN 低缺陷量产型 45nm 量产层 成熟浸没产线主流