Episode™ UL 是面向逻辑芯片、存储芯片量产的新一代 300mm 晶圆干法等离子蚀刻平台，采用对置式双列集群架构，腔体数量支持 4‑12 腔灵活选配，兼顾工艺性能、设备产能与洁净室空间利用率，广泛用于先进制程逻辑器件、3D NAND 存储芯片的刻蚀工艺制程。

设备采用水平对置腔体排布结构，相比上一代机型，单腔体占地面积大幅缩减，*大 12 腔体配置下，洁净室以及配套公用工程区域占用空间得到明显优化，适配晶圆厂不同厂房布局，用户可以按照产能需求自由选择 4 腔、6 腔、10 腔、12 腔组合方案，实现产能弹性扩展。设备内部预留更宽裕的维护操作空间，腔体拆装、零部件更换、保养作业操作更便捷，缩短设备预防性维护停机时间，提升设备稼动率。

整机传输模块与各个工艺腔体搭载大量传感单元以及高速控制系统，搭载 Smart Tool 智能化技术，依托海量设备运行数据完成自主工艺控制。可以实时采集腔体状态、工艺参数、粒子、射频参数等数据，实现工艺漂移预警、故障预判，减少晶圆报废，降低人为干预，提升批次间、片间刻蚀一致性，适配先进节点对刻蚀轮廓、选择比、均匀度严苛要求。

设备核心包含预真空锁腔体、等离子刻蚀工艺腔、高精度供气单元、高真空机组、射频电源、终点检测模块。刻蚀腔体支持多种工艺腔模块混配，同一台设备内部可同时完成介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀等不同工艺。供气回路搭配高精度质量流量控制器，精准管控氟基、氯基各类刻蚀气体配比；射频系统实现等离子体的稳定激发，配合腔体内高精度温控系统，保障整片晶圆刻蚀均匀性，实现高深宽比沟槽、通孔、栅极结构的精密干法刻蚀加工。

核心产品优势 1、腔体配置高度灵活，4‑12 腔模块化可选，产能可按需扩展，对置布局大幅节约洁净室占地。 2、维护友好化设计，保养作业空间充足，缩短 MTTR 维修时长，提升设备整体稼动率。 3、智能化自主管控，多传感器采集 + 大数据分析，提前识别工艺偏移，减少异常晶圆产出，片间、批次间差异控制优异。 4、工艺兼容性强，适配逻辑芯片、3D NAND 多层堆叠结构，兼顾高深宽比刻蚀、高选择比刻蚀需求，覆盖从成熟工艺到先进制程多段刻蚀工序。 5、晶圆传输系统经过优化，传输速度快，降低颗粒产生，减少晶圆污染风险，满足大批量量产产线运行需求。

主要应用场景 逻辑芯片：栅极刻蚀、通孔刻蚀、金属层介质刻蚀、浅沟槽隔离刻蚀； 3D NAND 存储：多层堆叠结构的高深宽比通道孔刻蚀； 其他：先进存储器件、功率半导体 300mm 晶圆的干法刻蚀加工。