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Otsuka大塚非接触膜厚计OPTM系列
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OPTM 系列是大塚电子（Otsuka）显微分光式非接触膜厚计，主打微区、超薄 / 多层、纳米级精度、可测 n/k，常被称为 “小型椭偏替代机”。
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原理：显微光谱反射率 + 干涉解析（非接触、无损）
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核心：小光斑（φ3 μm）、1 秒 / 点、*多 50 层膜、可测透明 / 半透明膜
二、Otsuka大塚非接触膜厚计OPTM系列型号体系（结构 × 波段）
1）按机械结构（3 类）
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OPTM‑A：自动 XY 平台（离线 / 实验室、整片 Mapping）
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OPTM‑F：固定台架（研发 / 单点量测）
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OPTM‑H：分体探头（嵌入产线、Inline）
2）按波段 / 测厚范围（3 档，SiO₂基准）
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型号
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波长范围
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膜厚范围
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核心用途
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OPTM‑A1/F1/H1
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230–800 nm（UV–Vis）
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1 nm ~ 35 μm
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超薄膜、光刻胶、SiO₂/SiN
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OPTM‑A2/F2/H2
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360–1100 nm（Vis–NIR）
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7 nm ~ 49 μm
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通用膜、ITO、PI、OLED
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OPTM‑A3/F3/H3
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900–1600 nm（NIR）
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16 nm ~ 92 μm
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厚膜、树脂、SiC/GaN、厚胶
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三、Otsuka大塚非接触膜厚计OPTM系列核心参数（全系列共性）
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*小光斑：φ3 μm（显微聚焦，微区 / 图案区量测）
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测量时间：≤1 秒 / 点（含自动对焦 + 解析）
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层数解析：*多 50 层 同步（含超薄 + 厚膜叠层）
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精度：SiO₂ 重复精度 ≤±0.1 nm；n/k 同步输出
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平台（A 系列）：300 mm 兼容 XYθ 自动平台，2D/3D Mapping
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特色**：透明基板去除背面反射，真实膜厚 / 折射率
四、半导体运用场景（按工艺）
1）先进制程（7–28 nm）
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超薄栅氧 / 高 k：1–10 nm HfO₂、Al₂O₃、SiO₂（A1 **）
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FinFET/GAA：侧墙、间隔层、SiGe 外延层厚度 + 组分（n/k）
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STI/ILD：浅沟槽氧化层、层间介质厚度均匀性（A1/A2）
2）光刻 / 掩模
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光刻胶（PR）：100 nm–10 μm，曝光前后膜厚 + 均匀性（A1）
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硬掩模 / 抗反射层（ARC）：超薄叠层（A1）
3）功率 / 化合物半导体
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SiC/GaN：外延层、钝化膜、厚氧化层（A3，近红外穿透）
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IGBT/MOSFET：厚场氧、钝化膜、保护层（A2/A3）
4）晶圆 / 封装
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临时键合：超薄硅 + 胶层 + 支撑基板，微区测胶厚（A2/A3）
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TSV 周边：硅表面绝缘层、钝化膜（A1/A2）
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载板 / PI / 干膜：5–50 μm 厚膜、均匀性（A2/A3）
5）FPD / 光学（延伸）
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OLED/ITO：透明导电膜、有机层（A2）
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光学镀膜：AR/HR/DLC、滤光片多层膜（A1/A2）
五、选型速记（半导体优先）
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超薄膜（1–100 nm） → OPTM‑A1（UV）
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通用膜 / 光刻胶（1–50 μm） → OPTM‑A2（Vis）
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厚膜 / 树脂 / SiC（10–90 μm） → OPTM‑A3（NIR）
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离线 Mapping / 整片检测 → A 系列（自动平台）
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产线 Inline 嵌入 → H 系列（分体探头）
六、与 FE/SF‑3 区别（快速区分）
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FE（TE）：大光斑（φ20 μm）、整片平均 / 抽检，量产离线
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SF‑3：穿透式、测晶圆厚度 + 胶层，研磨 / 键合在线
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OPTM：显微小光斑（φ3 μm）、微区 / 图案区、多层 + nk，研发 / 先进制程 / 微区失效分析