HR90 属于 HR 系列中型高温防腐多级罗茨干式真空泵，采用多级罗茨转子串联结构，无油干式架构，泵体高温均热设计，可直接从大气压直排大气，无需额外配置前级泵。针对半导体刻蚀、CVD 工艺产生升华粉尘、卤素腐蚀性气体工况开发，相比普通螺杆干泵，抗副产物凝结能力更强，适配中等规模半导体量产设备。
整机结构
- 多级罗茨转子组件：多组罗茨转子串联排布，转子与腔体做高硬度防腐表面处理，转子之间非接触运转，无油无摩擦。
- 高温均热腔体：利用压缩热维持泵腔整体高温，抑制工艺升华副产物冷凝、结垢堆积，降低卡泵故障概率。
- 屏蔽式氦密封电机：密闭屏蔽电机结构，氦密封阻隔工艺气体外泄，内置 1000ms 瞬停应对机制，短暂电网波动不会直接造成设备停机损坏。
- 分段氮气吹扫接口：轴封、各级泵腔配置吹扫气通路，轴封标准吹扫 5SLM，气镇吹扫 0‑45SLM 可调，通入氮气稀释腐蚀性介质，保护转子与密封部件。
- 集成电控单元：本地操作面板，可读取运行状态、报警记录，支持通讯对接产线 PLC，实现设备集中监控。
- 进出气法兰：进气 VG80（兼容 KF50），排气 KF40，机身内置排气消音组件；整机配备脚轮与调平底座，方便厂房移位与固定安装。
工作原理
电机驱动多组同步反向旋转罗茨转子，多级泵腔串联，气体逐级容积压缩，直接由大气压压缩排向外界大气，不需要搭配前级真空泵。
转子全程无接触运转，泵腔内部不使用润滑油，杜绝油雾返流污染晶圆工件。泵腔维持高温均热状态，让刻蚀、CVD 产生的升华类副产物保持气态排出，避免固态物质附着泵内部件。通入吹扫氮气，形成气幕隔离卤素、腐蚀性介质接触密封与转子，减缓部件腐蚀损耗。设备支持 24 小时不间断连续运行，适配半导体设备频繁抽气、复压的动态工艺工况。
核心性能参数
*大抽速：112m³/h（50Hz），126m³/h（60Hz）
极限到达压力：≤5Pa
电机功率：3.7kW
电源：三相 AC200V（50/60Hz），稳态电流 11.2A
冷却方式：水冷，*小冷却水流量 5L/min
吹扫气：轴封 5SLM，气镇 0‑45SLM 可调
进气法兰：VG80（兼容 KF50），排气法兰：KF40
整机重量：245kg
工作环境温度：7‑40℃
产品核心优势
1. 无油干式排气，无油品返流，保障腔体洁净，避免晶圆、器件被油污污染。
2. 高温均热腔体设计，抑制工艺升华副产物冷凝堆积，对刻蚀、CVD 产生粉尘、腐蚀性气体耐受性能优于常规螺杆干泵。
3. 多级串联直排大气，无需配套前级泵，简化整套真空系统配置，减少设备数量。
4. 屏蔽氦密封电机，气体泄漏风险低，具备毫秒级瞬停防护，应对厂房电网波动，降低意外停机带来工艺损失。
5. 多段氮气吹扫配置，可针对不同工艺调整吹扫流量，延缓内部件腐蚀，拉长保养周期。
6. 支持通讯数据交互，运行状态、故障记录可上传产线控制系统；模块化结构，零部件拆装便捷，便于现场检修维护。
典型应用场景
半导体中型干法刻蚀设备真空排气；
CVD 化学气相沉积工艺设备；
ALD 原子层沉积设备；
等离子灰化、去胶工艺；
6‑8 英寸半导体工艺设备前级真空单元。
使用注意事项
处理卤素、腐蚀性气体工况，必须开启氮气分段吹扫；
进气前端建议配置工艺过滤器，拦截大颗粒粉尘进入泵腔；
不可直接抽吸大量液态液体，液体进入泵腔会造成转子不可逆损伤；
水冷回路需要保证冷却水流量、压力稳定，保障泵体高温均热效果；
依据工艺负荷定期维护，检查吹扫管路、水冷管路运行状态。
